材料科学与工程的发展

先进材料改性、合成和分析利用离子束技术


出版日期
2012年1月01
状态
发表
提交截止日期
2011年7月01

导致编辑器

1达姆施塔特工业大学材料科学研究所,64287年达姆施塔特,德国

2Omura工业技术中心长崎,日本长崎,856 - 0026年

3环境研究所,澳大利亚核科学和技术组织,卢卡斯高度,2234年新南威尔士,澳大利亚

4电子材料工程系、澳大利亚国立大学、堪培拉法案0200年,澳大利亚

5部门的材料分析,材料科学研究所,64287年达姆施塔特,德国达姆施塔特工业大学

6物理和材料科学技术研究所,匈牙利科学院1121年的布达佩斯,匈牙利


先进材料改性、合成和分析利用离子束技术

描述

定向光束能量离子广泛用于合成,修改,和分析的先进材料,主要发展在关键的会议代表系列等离子束材料修改(IBMM)和离子束分析(IBA)。

这个特殊的问题将被编辑,目的是给离子束社区同行评议的原始研究贡献的最新发展应用这些技术在材料科学领域。

我们邀请所有的研究者提供原始的研究论文和评论文章,可以正确反映这些技术的创新特征和技术发展的巨大的努力已经在最近的过去。

我们必须强调的是,这个特殊的问题是免费发布在这个领域感兴趣的人开放。潜在的主题包括,但不限于:

  • 粒子跟踪
  • 量子计算的单离子植入
  • 新材料合成
  • 纳米材料的合成
  • 接口工程
  • 原子传输接口
  • 轻元素的方法分析
  • 辐射对反应堆材料的影响
  • 离子束分析纳米分辨率
  • 微光束,聚焦离子光束
  • 在半导体辐照效应
  • 修改和分析磁性薄膜
  • Plasma-based离子注入

之前提交的作者应该仔细阅读《华尔街日报》的作者指南,位于//www.newsama.com/journals/amse/guidelines.html。未来的作者应该提交一份电子版的完整手稿通过跟踪系统在《华尔街日报》手稿http://mts.hindawi.com/根据以下时间表:


文章

  • 特殊的问题
  • 卷2012
  • - - - - - - ID 431297条
  • ——编辑

先进材料改性、合成和分析利用离子束技术

亚当Georg Balogh | Koumei巴巴|…|约瑟夫Gyulai
  • 特殊的问题
  • 卷2012
  • - - - - - - ID 792973条
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机械和结构Fluorine-Ion-Implanted硼低值氧化物的性质

罗纳德·Machaka | Bonex w . Mwakikunga |…|马赛厄斯·赫尔曼
  • 特殊的问题
  • 卷2012
  • - - - - - - ID 706094条
  • ——研究的文章

影响硅、钛、锆离子注入在镍钛的生物相容性

l·l·梅斯纳|人工智能Lotkov |…| a . l . Matveev
  • 特殊的问题
  • 卷2012
  • - - - - - - ID 902649条
  • ——评论文章

隧道为自旋注入硅联系人:Si-Co接口与没有采用隧道的障碍是研究高分辨率的卢瑟福背散射

s . p .破折号| d Goll |…| h . d . Carstanjen
  • 特殊的问题
  • 卷2012
  • - - - - - - ID 923769条
  • ——研究的文章

特点及光催化性能 薄膜由溅射沉积和Post-N+离子注入

海德尔a Shukur | Mitsunobu佐藤|…|一郎Takano
  • 特殊的问题
  • 卷2012
  • - - - - - - ID 826873条
  • ——评论文章

非化学计量性的 研究了离子束方法和光电子能谱

k . Zakrzewska
  • 特殊的问题
  • 卷2012
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  • ——评论文章

单离子注入的发展Si-Based MOSFET器件和量子功能

杰弗里·c·McCallum | David n Jamieson |…|杰西卡·a·范Donkelaar
  • 特殊的问题
  • 卷2012
  • - - - - - - ID 610150条
  • ——研究的文章

纯净的离子光束:质谱分析和仿真和大规模干扰离子注入

Volker Haublein | Heiner Ryssel |洛萨弗雷
  • 特殊的问题
  • 卷2012
  • - - - - - - ID 269603条
  • ——研究的文章

氢在Pd / Ti / TiO充电效果2/钛薄膜沉积在硅(111)研究了离子束分析方法

k . Drogowska |美国Flege |…| a·g·Balogh
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  • 卷2012
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高空间分辨率飞行时间二次离子质谱质量:一种新型正交ToF FIB-SIMS仪器原位AFM

詹姆斯·a·惠特比|弗雷德里克·Ostlund |…|约翰·本
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