单离子注入的发展Si-Based MOSFET器件和量子功能

文摘

单离子注入的兴趣驱动部分由研究开发固态设备,具有量子行为的电子或光学特征。这里,我们概述国际研究发展单一离子注入和单离子检测量子计算的电子设备。国际研究的范围单一离子注入的上下文中提出了自己的研究中心的量子计算和通信技术在澳大利亚。各种单一离子检测方案,和限制由于离子掺杂剂位置精度离散一起讨论途径扩大到多个量子设备在一个芯片上。可能的离子注入在量子计算和通信未来的发展方向进行了讨论。

1。介绍

单离子注入的兴趣是动力部分的愿望能够产生电子和光学仪器的特点,设备都是由单个原子的属性或缺陷进而计算操作的执行这些原子或缺陷,通过控制耦合形成数组或线,使用交互由量子力学定律(1,2]。的一些量子计算研究发展的动力来源于一个地址在纳米技术由美国物理协会费曼在1959年和以后的地址与电脑模拟物理(3,4]。相当长的时间过去之前必要的加工和测量基础设施,甚至可用理论的理解是费曼的早期视力的方法。

1998年,凯恩提出的量子计算机的体系结构基于编码信息个人磷原子的供体核嵌入在硅矩阵(5]。这提供了一个合理的途径实现固态量子计算机和将促使国际社会的关注主要集中在发展中必要的专业知识和基础设施允许这样的装置是捏造的。兴趣单离子注入和单离子检测作为研究工作的一部分。凯恩的提议后,一系列其他架构和编码机制量子比特,量子位元,提出了6- - - - - -8]。研究人员也意识到凯恩建筑遭受一些主要技术问题,包括空间振荡在交换耦合强度和相声门控制促使进一步改进架构被提出(9,10]。关键的重要性能够初始化和读出量子比特也促使研究开发电子水库可以操纵通过合适的静电景观的变化允许电子装上或删除从附近的量子位精确控制的方式。Gate-defined量子点已被证明特别有用在这方面和最近的进步单电子操纵和旋转读出依靠这关键的突破(11- - - - - -14]。

设备尺寸继续萎缩,计算离子的注入和他们控制的位置也对传统的确定性掺杂金属氧化物场效应晶体管(mosfet)。确定性掺杂的目的是为了弥补变化阈值电压变化和断开的电流,由于统计波动发生在植入掺杂物的数量和分布15- - - - - -20.]。车间在确定性掺杂了作为国际半导体技术路线图的一部分新兴研究材料计划但有很大差距是可以实现的研究设备在实验室和需要扩大到工业过程,和途径实现扩大远非明确在这个阶段(21]。

单离子植入也感兴趣的位置控制的个人在一个合适的光学中心主机矩阵的发展单光子源和其他光学元素用于光学量子计算和量子通信。已取得相当大的进展,例如,在设计放置在金刚石氮-空位中心(22- - - - - -26]。兴趣测量和操纵单独的光学中心随着量子通信研究的深入。

单离子注入光学中心不是本文的重点,而重点是单离子注入和单离子检测发展量子计算的电子设备。国际范围的研究单离子注入的上下文中提出了自己的研究中心的量子计算和通信技术在澳大利亚。本文首先简要讨论的磷硅量子计算设备的单发读出电子自旋状态最近被证明(14]。该设备允许的许多重要功能硅量子设备设计和施工被理解。单离子检测通过离子束诱变电流(IBIC)然后介绍和讨论了该方法的属性和挑战包括提出了未来的发展。单离子检测通过测量MOSFET器件source-drain电流的变化是一个重要的替代方法,适用于一些类别的设备,这种方法和研究。

2。单离子检测:离子束诱变

图1(一)显示了扫描电子显微镜(SEM)图像的gate-defined量子点结构或硅单电子晶体管(SiSET)和少量的磷原子由虚线区域内植入有界(14,27]。盖茨SiSET形成使用铝沉积在一个高质量的5 nm SiO₂高纯硅衬底热氧化生长。小型水库的电子形成中央设置岛上通过适当的选择上平巷(V_前)和路闸(V_B1,V_B2)的潜力。电子集岛上tunnel-coupled源和漏水库。以适当调整静电风景,也可以对电子隧道到岛附近的电荷中心如植入磷捐献者。这可以通过使用柱塞门(V_pl)。转移电子的电荷中心岛对source-drain电流有一个巨大的影响,因此,隧道事件很容易被探测到。

在存在大量外部磁场应用隧道之间的电荷中心和台湾成为自旋依赖,如图1 (b)。图1 (c)显示当前设置为一个函数的变化的电压和柱塞盖茨。断裂是由于电荷转移的事件。由于隧穿概率是非常敏感的电荷中心之间的距离和岛,bias-spectroscopy图对应的不同区域隧道事件从不同的电荷中心(14,27]。对于这个特定的设备,定时植入物被用来实现3 - 5 90×90海里内植入磷原子²孔径在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)掩盖了邻近岛(虚线区域图1(一))。最近测量积极识别磷的电荷中心基于观察的超精细分裂。双栅纳米场效应晶体管,少量的磷捐助者植入传导渠道,也被捏造研究电子传递通过个人磷原子(13]。

检测到单离子注入允许精确控制离子植入通过一个孔的数量。检测单离子影响以许多不同的方式可以实现包括检测表面的二次电子发射(28),观察ion-track形成一些合适的抵制涂在表面(29日),检测source-drain电流的变化一个MOSFET设备(18),或检测的电子空穴对形成离子失去能量通过电子与衬底的交互(30.]。这后一种方法的优点是检测离子的能量沉积的离子的晶格允许实时区分事件停止在衬底和停止在一个覆盖抵制或氧化层或其他不受欢迎的位置。量子计算设备通常需要植入的低能离子由于盖茨靠近表面的必要性。sub-20 keV离子的检测是有点挑战性,因为每个离子产生电子空穴对的相对较少。小心在设备制造和包装减少电容,通过使用低噪声电子可以经常和可靠地检测量子计算所需的低能离子注入设备。

检测方法见图2。探测器是一种反向偏置销结构制造高纯度硅衬底。两个表面铝电极接触金刚石p-wells。后面联系由一个n型磷扩散层和铝接触。由于离子影响瞬态信号的检测是通过连接探测器电极冷却MOXTEK四端结型场效应晶体管(JFET)提供了一个集成的晶体管复位电路。外部控制JFET前置放大器模块。每个植入离子产生大约1000个电子空穴对在内部电场漂移和诱导电荷瞬态检测到外部电路。14 keV^31日P⁺离子射程约22纳米当植入通过5 nm SiO Si₂表层,预测的模型代码SRIM [31日]。只有34%的初始动能产生电离事件因此需要检测系统的优化设计,以便尽可能低噪声阈值。其他细节的检测系统中可以找到30.,32,33]。

Ion-bean-induced使用高能离子电荷(IBIC)测量是一种非常有用的工具为研究探测器效率和优化检测器设计之前尝试keV单离子注入实验。右边的面板图3显示IBIC量子计算设备收集地图扫描500 keV他从墨尔本Pelletron微光束。顶部面板大面积扫描,而底部面板是一个网站的特写镜头,单离子注入将,显示所需的电荷收集效率高在这个地区。两个左手面板对应的设备的扫描电镜图像。紫色区域适度高电荷收集效率源于扩散通道塞纳入设备设计,防止设备组件之间的串扰。IBIC地图显示通道塞不经意间耦合到探测器导致增加电容。正在解决这个问题在以后的一代又一代的设备和突出的重要性与兆电子伏IBIC离子允许这些问题被识别。

3所示。单离子注入的挑战

一些研究人员在发展中所面临的关键挑战单离子注入对量子计算的精度限制放置植入离子部分是由于离子离散,限制检测离子注入事件的能力高于噪声地板的离子能量是降低由于分数的减少离子能量,导致电离作用事件,和需要制定适当的途径,以扩大,以便多个植入站点和设备按顺序可以植入。

离子的变化范围和纵向离散与离子能量如图4(一)凯文P和某人离子。某人植入量子设备被Schenkel和同事调查(34,35]。14 keV P,投射范围~ 22纳米,纵向离散范围产生深度的变化~±11 nm。相应的横向范围离散~ 8海里。为某人情况更好,可以看到图4(一)。然而,^121年某人的核自旋我= 5/2 [36),额外的自旋态相比,简单的两系统P (我= 1/2),较重的某人离子的质量不太兼容植入通过现有热生长栅氧化层自损害可能更难以修复的P (37]。事实上,罗等人采用了氧化过程他们增长某人植入后,(36)依赖于相对较小的内在某人在氧化物生长温度的扩散系数,但是这种方法还增加了不确定性与表面盖茨如何对齐。离子的影响离散位置的不确定性的P⁺离子进一步见图4 (b)显示了植入的预测概率分布的14 100 000 keV P⁺离子通过三个圆形光阑10 nm(顶面板)和20 nm直径(底板)(38]。在每种情况下孔径中心间距为30 nm。随机分布在光阑的离子影响。横向和纵向范围大大加剧整个离子植入的位置的不确定性。

三个捐助者在相邻的系统植入网站30 nm描绘在图4 (b)是一个原型模型测试离子注入能否合理使用生产设备,使演示通过相干隧穿量子传输的绝热通道(CTAP)协议(42]。CTAP是一个协议的空间两点之间传输的量子态在量子链。量子传输分布式量子计算是一个必要的组成部分,和CTAP协议有一些优势竞争传输机制(38]。范围内,使用的近似模拟显示,六分之一three-donor设备由14 keV P植入可能适合CTAP;而注入的能量减少到7 keV预计收益率两个工作设备。更复杂的使用大规模原子论的紧束缚模型模拟显示,捐赠者捐赠的位移沿方向链,而不是垂直于它,产生较大影响的协议是否有效与否,但门的一些重调势可能赔偿(43]。

这里给出的例子都是donor-based量子计算设备但值得注意的是,acceptor-based量子计算也是一个可能性。轻轻金刚石硅样品所示,受主能级之间的转换可以通过应用谐振交流电场诱导和鲜明的调优的水平间距可以实现与外部直流电场(44]。然而,作者也指出一个强大的系统随机局部应变变化的敏感性,这可能是硼离子注入形成的量子位元的问题。

同时可以减少离子的降低了离子能量,离子的预计范围仍然需要大到足以把离子比任何栅氧化层或其他覆盖物的程度可能存在。捐助者也放在太近表面可能杂交与氧化状态的接口可能不理想(45,46]。离子能量减少,能量的一部分用于电离作用事件也会降低添加通过电子空穴对单离子检测的难度。同时,预测的电子阻止SRIM已被证明是错误的低能政权(32,39,40,47,48]。SRIM高估了电子阻止如图5显示的分数离子初始能量损失电子停车过程的主要离子和反冲SRIM预测的(f_E,SRIM)除以价值获得测量使用我们的单离子检测系统(f_E)或从先前的测量Funsten et al。39,40]。取得了良好的协议尽管两种情况下的检测系统有很大的不同。Funsten等人的工作意味着由入射离子能量损失电子流程,并通过测量反冲被发现以下硅光敏二极管光电流的变化的离子轰击。大面积使用探测器和相对较高的前将可以容忍探测器也将下降。在我们的单离子探测器测量电离作用响应在中部地区只有10×10μ米²离子可以穿透薄薄的5纳米氧化物。电离作用是直接测量单个离子能谱是收集多个离子但只能检测到相对少量的离子累积损伤前减少了检测效率。只有几百离子能被探测到的新检测器之前是必要的。最近Akkerman和巴拉克已经开发了一个模型之间的能量分区为低能离子在硅、电子和核组件,发现这个模型提供一个适合Funsten等人的数据和我们的数据(40,49,50]。

补偿产生的电子空穴对人数的减少和降低离子能量可以寻找更敏感的检测系统。雪崩二极管(adp)可以用来检测单电子孔对单个光子所产生的(51]。这种方法最近被用于单离子检测(52,53]。雪崩二极管在盖革模式下运营的偏压过去反向击穿的短时期间探测器敏感是一个单电子或空穴注入结。高领域产生雪崩信号级联导致盖革。近100%的探测效率已经证明250 keV H⁺离子(53]。在当前探测器设计厚层表面和结构阻止低能离子达到设备的活跃区域但方法有相当大的优点,而且有进一步发展的空间。

扩大到多个量子比特和运输结构相同的设备需要一些方法来确保离子孔径阵列的登记,也就是说,一个且只有一个离子是通过光刻掩模的每个孔植入。不切实际的使用多个石印步骤只有一个光圈打开每一步。理想情况下,如果一个方法可以设计出具有纳米直径离子束在梁的位置和纳米级精度对底物,有可能形成量子位数组没有光刻掩模。建议存在ion-trap-based离子源可能提供单一离子纳米阵列空间精度但这些系统仍在发展54- - - - - -56]。聚焦离子束(FIB)系统可以产生一个sub-10 nm直径梁,这是Shinada等人使用的方法生产命令掺杂剂阵列通道的back-gated绝缘体上硅设备(15]。单离子影响被测量的变化检测在植入设备的源漏极电流。虽然设备是相当大的,通道宽度和长度为300 nm和3.2μm,分别从理论上单离子注入可以通过这种方法在纳米设备来实现,然而,没有梁光环可以容忍,这将是非常难以实现。定义的另一种方法是使用光刻掩模对样本结合扫描nanoaperture用于校准离子束,哪些可以用纳米级定位精度。这是方法采用Schenkel和同事和我们组在墨尔本38,57,58]。

图6(一)演示了使用扫描nanoaperture顺序的概念植入离子通过一个数组nanoapertures光刻衬底。在这里,悬臂nanoaperture是一个槽。的位置扫描孔径可以注册到衬底通过检测离子植入一个注册区。的孔径可以重新定位植入区执行确定的植入物。图6 (b)显示了这些实验中使用的仪器。Nanopositioning是实现三轴Attocube堆栈(59]。低噪声的单离子检测器可以冷却操作。的扫描电子显微镜照相术槽nanoapertures如图6 (c)。FIB铣槽孔径形成的硅悬臂(38]。槽回填的原位沉积的Pt的前体气体由离子束来实现所需的孔径宽度。这里显示60 nm槽。最窄的制服槽宽度我们取得了迄今为止30 nm。图6 (c)显示一系列辐照在PMMA由14 keV氩离子辐照的60 nm宽孔径和步进使用nanopositioner孔径。我们正在朝着全面测试单离子检测系统与nanoaperture定位系统集成。

本节最后值得一提的是另一种技术,可以将原子掺杂剂与near-atomic精度。Hydrogen-resist光刻使用H-terminated Si(001)表面和选择性切除H通过扫描隧道显微镜提示PH值控制吸附紧随其后₃分子在公开的网站将P原子与near-atomic控制位置(如果60]。使用这种技术的取得了显著进展,最近纳米硅量子点的设备大约6 P原子的量子点已经证明(61年]。设备功能平面source-drain领导和盖茨还使用H-resist光刻和P公司形成的。这项技术不受离子离散和有潜力产生量子比特和运输数组以适当的定位精度,但它需要很艰苦的工作的持续发展。从长远来看,离子注入可能有一个重要的角色在原子的量子光学设备的制造和光学缺陷耦合光学腔和波导结构(62年]。在这些结构中,原子的位置精度限制或光学缺陷可能会更轻松。

4所示。单离子检测:漏极电流调制

在预制nano-MOSFET设备是不可能将前面提到的单离子检测系统可能仍然可以执行实时单离子的检测监控的变化由于离子source-drain当前设备的损害。这是使用的方法Shinada等人在他们back-gated绝缘体上硅MOSFET器件(15]。所使用的方法也被巴特拉et al。63年,64年]。自己的工作在这个领域的其他研究人员是出于最近的观察量子传输通过个人的随机分布的掺杂剂原子偶然地在适当的位置位于纳米场效应管影响传导渠道(20.,65年]。单离子植入提供了可能性,故意将掺杂物放置在通道产生量子效应。

我们有执行单离子植入研究在纳米尺度的绝缘体(SOI)使用500 keV mosfet⁺和14 keV P⁺离子和观察到的漏极电流的变化由于离子的影响(41]。两个不同finFET设备结构被用于研究如图7。他在500 keV的情况下⁺射线粒子范围是足以让离子穿过的全方位门通道和埋氧化基质(盒)和停止。如图7向上(a),在这种情况下,离散步骤中观察到漏极电流,我_D与预期一致,离子的到来。这是伴随着负面转变的IV曲线符合被困在盒子里被创造出来。14 keV P⁺离子与split-gate几何设计使用一个不同的设备以便低能离子通道。现在,向下的步骤我_D发生,如图7(b)和一个相应的积极转变IV曲线的观察与带负电荷的界面状态产生一致。的减少我_D符合弗仑克尔对引入的通道。

随后的实验表明,很难明确地确定低能单离子的影响在这些设备在日常的基础上。在某些情况下没有检测到漏极电流的变化在噪音。设备建模与计算机辅助设计技术(TCAD)软件包可能可以部分地解释这个66年]。图8显示预期的电流密度分割门装置。盖茨下的电流密度最大,低能离子无法穿透这可能降低设备低能离子的敏感性的影响。这些设备提供back-gating的可能性被Shinada et al。15在确定的掺杂研究。我们正在调查这个途径对低能离子影响的敏感性增强。

5。结论

单离子注入导致了快速成型设备的固态量子计算机的发展。磷植入量子设备展示spin-dependent运输和单发射击读出已经演示了旋转。单离子检测方案允许单个离子植入光刻设备结构精度高但离子范围的地方基本限制定位精度和长期的离子注入可能无法与hydrogen-resist光刻方法可以产生量子设备near-atomic掺杂剂位置的精度。离子可以减少离散范围减少离子能量,但表面邻近效应可以成为一个问题,有一个可用的电子空穴对数量递减离子检测,尽管Geiger-mode雪崩探测器提供一些的前景推动检测极限。离子注入可能有一个重要的角色在原子的量子光学设备的制造和光学缺陷耦合光学腔与原子的精确位置或光学缺陷将会更轻松。单离子检测通过监测漏极电流的变化nano-MOSFETs原则上已被证明是可能的,但仍然需要进一步发展和造型了解最优控制方案和缺陷的贡献中生成氧化层,该频道和其他结构与漏极电流的变化和第四特征观察。

确认

这项工作是由澳大利亚研究理事会通过量子计算和通信技术的卓越中心,澳大利亚政府,美国国家安全局和美国陆军研究办公室号合同下。w911nf - 08 - 1 - 0527。电子商务提供的财政支持也FP7 FET-proactive之下NanoICT下项目号。MOLOC(215750)和AFSiD(214989),和荷兰Fundamenteel Onderzoek der Materie FOM。

引用

1. m·尼尔森和壮族,量子计算和量子信息英国剑桥,剑桥大学出版社,2011年。
2. a . Steane“量子计算”,物理学进展报告,卷61,不。2、117 - 173年,1998页。视图:谷歌学术搜索
3. r·费曼”底部有足够的空间,”工程与科学,23卷,不。5,22-36,1960页。视图:谷歌学术搜索
4. r·p·费曼,”与电脑模拟物理”,国际理论物理学杂志》上,21卷,不。6 - 7,467 - 488年,1982页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
5. b·e·凯恩,“硅基核自旋的量子计算机,”自然,卷393,不。6681年,第137 - 133页,1998年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
6. 王r . Vrijen e . Yablonovitch k . et al .,“电子自旋共振电晶体硅锗半导体异质结构的量子计算,”物理评论一个,卷62,不。1,第012301 - 012306页,2000。视图:谷歌学术搜索
7. c·d·希尔·l·c·l·Hollenberg a·g·福勒c . j . Wellard公元Greentree,和h s .果阿的“全球控制和快速固态捐赠电子自旋量子计算,”物理评论B,卷72,不。4篇文章ID 045350 - 2005页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
8. l . c . l . Hollenberg a . s . Dzurak c Wellard et al .,“Charge-based使用单一捐赠者半导体量子计算,”物理评论B,卷69,不。11日文章ID 113301年,页1133011 - 1133014,2004。视图:谷歌学术搜索
9. b . Koiller x胡,s Das Sarma交换在硅基量子计算机体系结构中,“物理评论快报,卷88,不。2,文章ID 027903年,第279034 - 279031页,2002年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
10. l . c . l . Hollenberg公元Greentree, a·g·福勒和c j . Wellard”donor-based量子计算二维结构,”物理评论B,卷74,不。4、文章ID 045311, 2006。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
11. 美国j·安格斯,a·j·弗格森,a . s . Dzurak和r·g·克拉克“Gate-defined内在硅量子点,”纳米快报,7卷,不。7,2051 - 2055年,2007页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
12. 答:黑樱桃,c . c . Escott h . Huebl et al .,“高灵敏度单发读出架构和控制电子自旋的个人捐赠者的硅,”物理评论B,卷80,不。8条ID 2009 r, 081307。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
13. 刘贤Tan k . w . Chan m . Mottonen et al .,“运输光谱学单磷硅纳米晶体管捐助者,”纳米快报,10卷,不。1,11 - 15号,2010页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
14. 答:黑樱桃,j . j .解放军f.a.h ayek Zwanenburg et al .,“单发读出电子自旋的硅,”自然,卷467,不。7316年,第691 - 687页,2010年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
15. 冈本t . Shinada s t .小林,Ohdomari,“提高使用命令掺杂剂阵列半导体器件性能,”自然,卷437,不。7062年,第1131 - 1128页,2005年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
16. k·伯恩斯坦,d·j·弗兰克,a . e . Gattiker et al .,“高性能CMOS可变性在65 nm政权,”IBM杂志》上的研究和发展,50卷,不。4 - 5,433 - 449年,2006页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
17. m . Hori t . Shinada k Taira et al .,“半导体器件的性能增强离散掺杂剂分布的控制,”纳米技术,20卷,不。36岁的ID 365205条,2009年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
18. t . Shinada t .黑泽明h . Nakayama朱y、m . Hori i Ohdomari,”一个可靠的方法计算和控制单一离子single-dopant控制设备,“纳米技术,19卷,不。34岁的ID 345202条,2008年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
19. t . Shinada m . Hori k . Taira t . Endoh i Ohdomari,“最近进展single-dopant设备,单离子注入方法”第九届国际研讨会上结技术学报》,2009年IWJT《京都议定书》,页96 - 99年,日本,2009年6月。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
20. m·皮埃尔·r·Wacquez x杰尔,m .散曲m . Vinet o . Cueto,”一个捐赠者电离能在纳米级CMOS频道”自然纳米技术,5卷,不。2、133 - 137年,2010页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
21. e·l·沃勒和t . Shinada Eds。,“ITRS ERM workshop series: deterministic doping,” Berkeley, Calif, USA, 2010http://www.src.org/calendar/e004100/。视图:谷歌学术搜索
22. j . r . Rabeau不p . Reichart g . Tamanyan et al .,“植入标签单一氮-空位中心钻石用15 n,”应用物理快报,卷88,不。2篇文章ID 023113 1 - 3, 2006页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
23. g·d·福克斯,诉诉Dobrovitski r·汉森et al .,“激发态光谱使用单一旋转操纵钻石,”物理评论快报,卷101,不。11日,ID 117601条,2008年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
24. s . Pezzagna d . Wildanger p Mazarov et al .,“纳米工程和光学处理单一旋转钻石,”小》第六卷,没有。19日,2117 - 2121年,2010页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
25. g·d·d·m·Toyli c d Weis福克斯,t . Schenkel和d·d·Awschalom“芯片级纳米加工钻石的单一旋转和旋转数组”纳米快报,10卷,不。8,3168 - 3172年,2010页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
26. p . Spinicelli a . Dreau l . Rondin et al .,”工程的氮-空位中心颜色数组基于植入的cn钻石?通过nanoapertures分子,”新物理学杂志ID 025014条,卷。13日,2011年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
27. a h . Huebl c·d·努哥鲁黑樱桃et al .,“电子隧道率donor-silicon单电子晶体管混合动力,”物理评论B,卷81,不。23日,ID 235318条,2010年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
28. t . Schenkel a . Persaud s . j .公园et al .,“固态量子计算机发展与单一离子注入硅,”应用物理杂志,卷94,不。11日,第7024 - 7017页,2003年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
29. 诉米勒,c . i pak s Prawer b溃败,d . n .吞云吐雾,“薄膜拒绝登记单离子的影响,“纳米技术,16卷,不。6,823 - 826年,2005页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
30. 杰米逊d . n、c·杨t霍普夫et al .,“控制浅单离子注入硅使用积极的基质子20-keV离子”应用物理快报,卷86,不。20篇文章ID 202101 1 - 3, 2005页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
31. j·f·齐格勒,j.p. Biersack Littmark,SRIM离子固体的停止和范围帕加马,纽约,纽约,美国,1985年。
32. t .霍普夫单离子注入对量子计算机的建设墨尔本大学,博士论文,2007年。
33. t .霍普夫c, s·m·赫恩et al .,“低噪声检测系统计算的单离子注入硅,”IEEE核科学,55卷,不。2、文章ID 4484234, 812 - 816年,2008页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
34. t . Schenkel j . a . Liddle a Persaud et al .,“电激活和电子自旋相干的超低剂量在硅、锑植入”应用物理快报,卷88,不。11日,ID 112101条,2006年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
35. t . Schenkel c . c .罗Schuh a, c, d . Weis a . Persaud和j·波哥,“关键问题的形成量子计算机测试结构通过离子注入,“核仪器和方法在物理学研究中,部分B,卷267,不。16,2563 - 2566年,2009页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
36. c . c .罗j波、t . Schenkel a . m . Tyryshkin S.A.里昂,“Spin-dependent散射中性锑捐助者在28硅场效应晶体管,”应用物理快报文章ID 242106卷,91年,3页,2007。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
37. j . c . McCallum m·l·邓恩和大肠塔顶,“离子注入通过薄二氧化硅层Si-based固态量子计算机设备发展”夫人诉讼卷,1074篇文章ID 1074 - i12 - 05, 2008。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
38. j·a·范Donkelaar公元Greentree, a·d·c·阿尔维斯l . m . Jong l . c . l . Hollenberg d . n .吞云吐雾,“自上而下的路径与一些设备,单个原子精度高,“新物理学杂志ID 065016条,卷。12日,p。1367年,2010年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
39. h . o . Funsten s . m . Ritzau r·w·哈珀和r . Korde”回应的内部载流子收集效率为100%硅光敏二极管低能离子”IEEE核科学,48卷,不。6,1785 - 1789年,2001页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
40. t .霍普夫c, s·e·安德森,d . n .吞云吐雾,“低能离子注入硅探测器的反应,”凝聚态物理学杂志》上,20卷,不。41岁的ID 415205条,2008年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
41. 公元前约翰逊,g . c . Tettamanzi公元c·阿尔维斯et al .,“漏极电流调制纳米场效应晶体管通道的单掺杂剂注入,“应用物理快报,卷96,不。26日,ID 264102条,2010年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
42. 公元Greentree, j·h·科尔,a·r·汉密尔顿和l . c . l . Hollenberg”一致的电子转移在量子点系统中使用绝热通道,”物理评论B,卷70,不。235317年23日文章ID, 1 - 6, 2004页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
43. r·拉赫曼·r·p·穆勒,j·e·利维et al .,“绝热通道相干电子传递的一个不完美的捐赠链,”物理评论B,卷82,不。15篇文章ID 155315 2010。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
44. y . p .歌曲和b·戈尔丁”操纵和退相干受体状态的硅,”EPL,卷95,不。4、文章ID 47004, 2011。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
45. a . m . Tyryshkin s . a .里昂t Schenkel et al .,“如果电子自旋相干。”自然史E,35卷,不。2、257 - 263年,2006页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
46. m·j·卡尔德龙,b . Koiller和s . d . Sarma捐赠电子交换的“外部磁场控制Si / Si O₂接口,“物理评论B,卷75,不。12篇文章ID 125311 2007。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
47. h . o . Funsten s . m . Ritzau r·w·哈珀和r . Korde“低能离子的基本限制检测使用固态硅探测器,“应用物理快报,卷84,不。18日,第3554 - 3552页,2004年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
48. h . o . Funsten s . m . Ritzau r·w·哈珀j . e . Borovsky和r·e·约翰逊“keV能量损失的离子在硅,”物理评论快报,卷92,不。21日,ID 213201条,2004年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
49. a . Akkerman和j·巴拉克,”新分区因子计算评估低能量离子在硅的损害,”IEEE核科学,53卷,不。6,3667 - 3674年,2006页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
50. a . Akkerman和j·巴拉克,”分区弹性和非弹性流程的能量由低能量离子沉积在硅探测器,“核仪器和方法在物理学研究中,部分B,卷260,不。2、529 - 536年,2007页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
51. p·a·埃克斯特龙“Triggered-avalanche检测光学光子,”应用物理杂志,52卷,不。11日,第6979 - 6974页,1981年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
52. j . a . Seamons e . Bielejec m . s .卡罗尔和k·d·蔡尔兹”室温单离子检测用盖革模式雪崩二极管探测器,“应用物理快报,卷93,不。4、文章ID 043124, 2008。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
53. e . Bielejec j . a . Seamons和m . s .卡罗尔,“单一离子注入单一捐赠者设备使用盖革模式探测器,“纳米技术,21卷,不。2010年8篇文章ID 085201。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
54. 今后j·梅耶尔,t·沃格尔,b . et al .,”概念的确定性单离子掺杂sub-nm空间分辨率,”应用物理,卷83,不。2、321 - 327年,2006页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
55. j·l·汉森s b·希尔,j·奥洛夫和j·j·麦克勒兰德”Magneto-optical-trap-based,高亮度作为纳米探针离子源,”纳米快报,8卷,不。9日,第2850 - 2844页,2008年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
56. w·施尼茨勒:m的左翼,r .反复无常,j·梅耶尔,f . Schmidt-Kaler和k .歌手”确定的超冷离子源针对海森堡极限。”物理评论快报,卷102,不。7篇文章ID 070501 2009。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
57. t . Schenkel诉Radmilovic e·a·止住血,s . j .公园和a . Persaud”几纳米宽孔膜的形成与双光束聚焦离子束系统”真空科学与技术学报B,21卷,不。6,2720 - 2723年,2003页。视图:谷歌学术搜索
58. a . Persaud k .伊万诺娃y Sarov et al .,“微型机械压敏电阻近端调查与综合检测执行机构一致的单一离子注入,“真空科学与技术学报B,24卷,不。6,3148 - 3151年,2006页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
59. 系统AG Attocube Koniginstrasse 11 80539 RGB,慕尼黑,德国。视图:谷歌学术搜索
60. s·r·斯科菲尔德:j . Curson m . y . Simmons et al .,“如果自动精确放置单掺杂物”,物理评论快报,卷91,不。13日,1361041 - 1361044,2003页。视图:谷歌学术搜索
61. m . Fuechsle美国塔,f . a . Zwanenburg m·弗·m·a·埃里克森和m . y . Simmons“few-electron单晶矽量子点的光谱,”自然纳米技术,5卷,不。7,502 - 505年,2010页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
62. e .彼得,p . Senellart d Martrou et al .,“Exciton-photon强耦合机制为单个量子点嵌入在一个微腔,“物理评论快报,卷95,不。6篇文章ID 067401 1 - 4, 2005页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
63. j·a·巴特拉c d Weis Reijonen et al .,“低能量检测单个离子的影响在微米尺度晶体管在室温下,“应用物理快报,卷91,不。19日,ID 193502条,2007年。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
64. a·c·d·Weis Schuh, a·巴特拉et al .,“单原子掺杂量子装置发展的钻石和硅,”真空科学与技术学报B,26卷,不。6,2596 - 2600年,2008页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
65. g . p . Lansbergen r·拉赫曼·c·j·Wellard et al .,“Gate-induced量子限制过渡的单个原子掺杂剂硅FinFET”自然物理,4卷,不。8,656 - 661年,2008页。视图:出版商的网站|谷歌学术搜索
66. “东Middlefield Synopsys对此,Inc ., 700路,山,“看来,CA 94043。视图:谷歌学术搜索

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