TY -的A2 Elliman罗伯特·g . AU - McCallum杰弗里·c . AU -吞云吐雾,大卫·n . AU -杨Changyi AU -阿尔维斯,安德鲁·d . AU -约翰逊,Brett c . AU -霍普夫托比AU -汤普森,塞缪尔·c . AU - van Donkelaar,杰西卡·a . PY - 2012 DA - 2011/11/28 TI -单离子注入的发展Si-Based MOSFET器件量子功能SP - 272694六世- 2012 AB -兴趣单离子植入部分得到了研究开发固态设备,具有量子行为的电子或光学特征。这里,我们概述国际研究发展单一离子注入和单离子检测量子计算的电子设备。国际研究的范围单一离子注入的上下文中提出了自己的研究中心的量子计算和通信技术在澳大利亚。各种单一离子检测方案,和限制由于离子掺杂剂位置精度离散一起讨论途径扩大到多个量子设备在一个芯片上。可能的离子注入在量子计算和通信未来的发展方向进行了讨论。SN - 1687 - 8434你2012/272694 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/272694——摩根富林明-材料科学与工程的进步PB Hindawi出版公司KW - ER