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单离子注入的发展Si-Based MOSFET器件和量子功能

图5

fE ,SRIM fE 39 40 离子初始能量的一部分失去了电子停止流程主要离子和反冲SRIM预测的()除以价值获得测量使用我们的单离子检测系统(),与之前的数据相比Funsten et al。(如,])。
272694. fig.005