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材料科学与工程的发展
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材料科学与工程的发展
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2012年
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单离子注入的发展Si-Based MOSFET器件和量子功能
图5
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离子初始能量的一部分失去了电子停止流程主要离子和反冲SRIM预测的()除以价值获得测量使用我们的单离子检测系统(),与之前的数据相比Funsten et al。(如,])。