评论文章

单离子注入的发展Si-Based MOSFET器件和量子功能

图2

μ 30. 示意图的销单离子检测系统集成到高纯硅衬底。探测器表面电极连接到p-wells两边各5 nm厚的栅氧化层宽度为10m。光阑的PMMA面具让离子进入衬底在选定的地区。两个瞬态检测到外部电路的单离子影响的底部面板所示图(如[])。
272694. fig.002