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材料科学与工程的发展
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材料科学与工程的发展
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2012年
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单离子注入的发展Si-Based MOSFET器件和量子功能
图2
μ
30.
示意图的销单离子检测系统集成到高纯硅衬底。探测器表面电极连接到p-wells两边各5 nm厚的栅氧化层宽度为10m。光阑的PMMA面具让离子进入衬底在选定的地区。两个瞬态检测到外部电路的单离子影响的底部面板所示图(如[])。