TY - Jour A2 - Cohen，David D. Au - Drogowska，K.Au - 德格，S. Au - Schmitt，C. Au - Rogalla，D. Au - Becker，H. -w。Au - Kim-ngan，NHU-T。H. AU - Brudnik, A. AU - Tarnawski, Z. AU - Zakrzewska, K. AU - Marszałek, M. AU - Balogh, A. G. PY - 2012 DA - 2011/10/23 TI - Hydrogen Charging Effects in Pd/Ti/TiO₂/ Ti薄膜沉积在Si（111）上，通过离子束分析方法研究SP-269603 VL-2012 AB - 钛和二氧化钛薄膜通过从反应性AR中的金属Ti靶偏离磁控溅射沉积在Si（111）基板上+ O.₂气氛，其组成由精密气体控制器控制。对于一些样品，使用分子束外延用钯覆盖1/3。通过螺旋钻电子光谱（AES）和Rutherford反向散射光谱法（RB）测定层的化学成分，密度和层厚度。使用高分辨率扫描电子显微镜（HRSEM）研究了表面形态。沉积后，观察到光滑，均匀的样品表面。氢气在1巴的压力下充电5小时，在300℃的温度下导致表面造粒。使用二次离子质谱（SIMS）和核反应分析（N-15方法）测定氢深度曲线，使用a^15.N射线在6.417 mev的共振能。NRA测量在具有部分覆盖的顶层的样品中证明了较高的氢浓度，而不是在没有钯的样品中。充电后H浓度的最高值约为50％（在钯覆盖部分中），并且在Pd未覆盖的钛中约40％。这些值与SIMS测量结果非常一致。SN - 1687-8434 UR - https://doi.org/10.1155/2012/269603 do - 10.1155/2012 / 269603 jf - 材料科学与工程普及Pb - Hindwi Publishing CorporationKW - ER -