TY -的A2 Balogh亚当Georg AU - Dash, s . p . AU - Goll d·科波尔德盟- p . AU - Carstanjen h . d . PY - 2012 DA - 2011/12/22 TI -隧道为自旋注入硅联系人:Si-Co接口与没有采用隧道的障碍是研究高分辨率的卢瑟福背散射SP - 902649六世- 2012 AB -为了获得高自旋注入效率,必须高ferromagnet-semiconducor肖特基接触晶体质量。这是特别重要的ferromagnet-silicon接口,因为这些元素往往混合,形成硅化物。在这项研究中Co-Si(100)接口是准备在三种不同的方式:在室温下通过蒸发、低温度( − 60 C ° 与某人),作为表面活性剂,其界面结构分析高分辨率的苏格兰皇家银行(HRBS)。在所有情况下都或多或少的硅化强烈的公司随后向内扩散形成观察。为了防止Co和Si的混合,超细分别介绍了隧道壁垒介于两者之间。原位HRBS表征证实,分别以电影非常均匀,防止混合沉积的硅衬底Co和有效铁的电影,即使在 450年 C ° 。SN - 1687 - 8434你2012/902649 / 10.1155——https://doi.org/10.1155/2012/902649——摩根富林明-材料科学与工程的进步PB Hindawi出版公司KW - ER