有源和无源电子元件
有源和无源电子元件/表的内容

表的内容

表的内容

  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2016
  • -文章ID 8351406
  • ——研究的文章

能感知低功耗CMOS LNA与过程变化管理

Jorge Luis Gonzalez | Robson Luiz Moreno |…|迭戈巴斯克斯
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2016
  • -文章ID 1962438
  • ——研究的文章

一种新型无变压器光伏系统的逆变器拓扑

海盐曹
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -文章ID 609828
  • ——研究的文章

使用纳米级栅内凹槽工艺的完全耗尽SOI mosfet中的异常DIBL效应

阿维·卡尔桑提，阿夫拉罕·谢利
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -第591986条
  • ——研究的文章

一种适用于便携式应用的高效锂离子电池ldo充电器

Youssef Ziadi | Hassan Qjidaa
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -文章编号141583
  • ——研究的文章

用散斑干涉技术研究压水堆的热机械特性

我是朱塞佩·Illuzzi
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -文章ID 806276
  • ——研究的文章

一个非常紧凑和锐利的滚下低通滤波器与四个传输零

杨小和林丽
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -文章ID 315105
  • ——研究的文章

FGMOSFET漏极电流随机变化的分析模型

Rawid Banchuin
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -文章ID 846425
  • ——研究的文章

一种新型大功率v波段螺旋折叠波导级联行波管放大器的设计

天祥诸公|裕禄Hu
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -文章ID 460416
  • ——研究的文章

标准迁移率模型在纳米尺度FD-SOI mosfet TCAD模拟中的使用和限制

A. Ciprut | A. Chelly | A. Karsenty
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -文章ID 528360
  • ——研究的文章

基于SVPWM和平均电流法的三相四线四脚APF控制

李向顺|江华路
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -文章ID 920508
  • ——研究的文章

采用缓冲延迟模型的触发脉冲发生器及其应用

阿明伊斯兰教
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2015
  • -文章编号651527
  • ——研究的文章

4H-SiC基功率mosfet栅极介质的评价

默罕默德·纳瓦兹
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2014
  • -文章ID 782417
  • ——研究的文章

研究了FD-SOI mosfet在饱和状态下的低温行为 和 功能

[答案]b . c
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2014
  • -第319213条
  • ——研究的文章

聚合物厚膜电阻的多次高压脉冲应力

我的名字叫拉奥
  • 有源和无源电子元件 -
  • 特殊的问题
  • 卷2014
  • -第342785条
  • ——研究的文章

基于DVCCTA的通用调制器的实现

Pandey | Rajeshwari Pandey |…| Manan Tripathi
有源和无源电子元件
期刊指标
录取率 14%
提交最终决定 54天
接受出版 35天
CiteScore 1.100
影响因子 -
APC 950美元
提交
作者指导方针 编辑委员会 数据库和索引
注册内容提醒 报名

我们致力于尽快、安全地分享与COVID-19有关的发现。任何提交COVID-19论文的作者，请在以下地址通知我们help@hindawi.com以确保他们的研究被快速跟踪，并尽快在预印本服务器上可用。我们将为已接受的COVID-19相关文章提供不受限制的出版费用减免。注册在这里作为审稿人，帮助快速跟踪新提交的内容。