TY -的A2 Ghibaudo杰拉德AU -卡尔桑迪,Avi盟——秋儿,亚PY - 2015 DA - 2015/10/28 TI -反常DIBL效应在使用纳米Gate-Recessed通道全耗尽SOI MOSFET过程中SP - 609828六世- 2015 AB -纳米Gate-Recessed通道(GRC)完全耗尽(FD)与硅通道SOI MOSFET器件厚度( t 如果 )低至2.2 nm首先测试在室温下的功能检查，然后测试在低温(77 K) 我 - V 特征。尽管其FD-SOI纳米级厚度和长沟道特征，该器件在rt时令人惊讶地表现出漏致势垒降低(DIBL)效应。然而，这种效应在77 K时被抑制。如果这种异常效应的出现可以用位于沟道边缘的寄生短沟道晶体管来解释，那么它的抑制可以用降低温度时漏极和沟道之间的势垒的降低来解释。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2015/609828 DO - 10.1155/2015/609828 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -