TY -的A2 Horng Jiun-Wei AU -纳瓦兹,穆罕默德PY - 2015 DA - 2015/01/01 TI -门电介质的评价基于4 h-sic功率mosfet SP - 651527六世- 2015 AB -这项工作的评估闸极介电层4 h-sic mosfet使用基于技术的二维数值计算机模拟。采用著名的福勒-诺德海姆隧穿模型，研究了不同厚度的栅介质候选材料的结果。与传统的SiO相比₂作为栅极介质的4H-SiC mosfet，高 k 栅极电介质，如HfO₂在栅极介质厚度相同的情况下，显著降低栅极介质中的电场量，从而降低总体栅极电流密度。高- - - - - - k 栅极介质进一步降低了阈值电压随介质厚度变化的偏移，从而导致更好的工艺裕度和稳定的器件运行行为。对于固定的介质厚度，随着SiO介电常数的增加，阈值电压的总位移约为2.5 V₂（ k ＝ 3．9 )高频振荡器₂（ k ＝ 25 )．随着SiO介电常数的增加，器件的跨导进一步提高₂对高频振荡器₂．此外，4H-SiC mosfet对阈值电压的偏移更为敏感₂作为栅极电介质比高- k在介质和4H-SiC MOS表面的界面态电荷密度存在的情况下。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2015/651527 DO - 10.1155/2015/651527 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -