TY - JOUR A2 - gibaudo, Gerard AU - Ciprut, A. AU - Chelly, A. AU - Karsenty，a . PY - 2015 DA - 2015/05/26 TI -使用和限制标准的移动模型的TCAD仿真纳米FD-SOI mosfet SP - 460416六世- 2015 AB - TCAD工具已经在很大程度上改善在过去几十年为了支持流程和设备补充模拟通常是基于不断发展模型跟随技术进步。在本文中，我们比较了两种纳米尺度器件:超薄体(UTB)和纳米尺度体(NSB) SOI-MOSFET器件的实验和TCAD模拟结果 W / L沟道厚度比为10:1(分别为46 nm和4.6 nm)。实验转移 电流-电压人们发现，这些特征惊人地不同，相差好几个数量级。我们通过考虑严重的迁移率退化和较大的栅电压相关串联电阻( R SD )．TCAD工具通常不考虑 R SD 与通道厚度或栅极电压有关。在观察到从我们的测量中提取的迁移率值与可用的TCAD模型建模的迁移率值之间的明显差异后，我们提出了一种新的半经验方法来模拟迁移特性。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2015/460416 DO - 10.1155/2015/460416 JF - Active and Passive Electronic Components PB - Hindawi Publishing Corporation KW - ER -