TY - Jour A2 - Horng，Jiun-Wei Au - Banchuin，RawID PY - 2015 DA - 2015/07/15 TI - FGMOSFET漏极电流随机变化的分析模型SP - 315105 VL - 2015 AB - 随机分析模型本研究已经提出了浮栅MOSFET（FGMOSFET）的漏极电流的变化。该模型由两个部分组成，用于三极管和饱和区域的操作区域，其中每个区域的处理感应设备级随机变化并考虑到它们。还考虑了浮栅电压的非线性和FGMOSFET耦合因子的漏极电压的依赖性。已发现该模型非常准确，因为它可以通过使用Monte-Carlo Spice仿真和FGMOSFET模拟技术与Spice准确地拟合基于Spice BSIM3V3的参考。如果需要，可以使用最佳提取的参数，适用于基于BSIM4的参考。通过使用所提出的模型，可以执行FGMOSFET的可变性分析和任何FGMOSFET基于电路的电路水平参数的变化的分析建模。因此，已发现该模型是基于FGMOSFET电路的可变性感知分析和设计的有效工具。SN - 0882-7516 UR - https://doi.org/10.1155/2015/315105 Do - 10.1155 / 2015/315105 JF - 主动和被动电子元件PB - Hindawi Publishing CorporationKW - ER -