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The Design of an Ultralow-Power Ultra-wideband (5 GHz–10 GHz) Low Noise Amplifier in 0.13 μm CMOS技术
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具有高信号隔离的四端口双模双工器
提出了一种易于实现高信号隔离的四端口双模双工器。一个紧凑的双模双工器与高信号隔离之间的Rx和Tx模块是可以实现的，只有使用一个谐振器滤波器拓扑。两个背对背双模双工器在一个支路上有180°相移。采用振幅和相位对消技术可实现高隔离。利用移相器可以方便地实现延时传输线。模拟和实测的四端口双模双工器分别设计在Rx/Tx的中心频率为1.95 GHz和2.14 GHz。Rx/Tx双模双工器器件的测量结果为47.1 dB Rx/Tx隔离。该四端口双模双工器实现了隔离(小号32) of more than 24.1 dB when compared with the conventional three-port dual-mode diplexer structure.
基于栅极屏蔽的LDMOS热抗扰度和鲁棒性的权衡设计
为了同时解决热载波抗扰性和鲁棒性问题，对栅极屏蔽结构接地的LDMOS器件进行了仿真和测试。通过优化栅极屏蔽结构的配置，降低了栅极与漏极重叠处的局部电场强度，提高了热载流子的抗扰度，实现了栅极一侧均匀的电场分布，增强了系统的鲁棒性。通过仿真和硅数据分析了热载波抗扰度(HCI)和鲁棒性的设计权衡。
基于bdd的低功耗DTIG FinFET电路拓扑优化
提出了一种基于二进制决策图(BDD)表示的逻辑综合方法。对双阈值独立门(DTIG) FinFET电路进行了优化。详细阐述了基于bdd的拓扑优化算法。通过提取算法提取出BDD的一些特征子图结构，然后将其反馈给映射算法，得到一个基于预定义的DTIG FinFET逻辑门的最终优化电路。通过与ABC、DC工具的比较，对MCNC基准电路进行了测试。仿真结果表明，所提出的合成方法可以有效地改善DTIG FinFET电路的性能。
通过降低准饱和效应来改善射频LDMOS的线性度和鲁棒性
本文首次对线性和鲁棒性进行了讨论，并提出了改进的方法。结果表明，器件在准饱和区工作时的非线性跨导是影响器件线性的重要因素。峰值电场是引起电子速度饱和的根本原因。在漏极附近漂移区域的高电场会产生更多的电子空穴对，从而触发寄生的NPN晶体管导通，从而导致器件失效。利用TCAD对不同漂移区域掺杂的器件进行了模拟和测量。掺杂LDD4后，漂移区峰值电场减小;跨导的线性区域被加宽。相邻通道功率比降低2 dBc;在NPN晶体管接通之前，可以多放电12%的功率，显示出更好的线性和鲁棒性。
减少晶体管的短通道效应，减小模拟电路的尺寸
模拟集成电路从不遵循摩尔定律。这对于无源组件尤其正确。由于短通道效应，我们必须实现较长的晶体管，特别是模拟电池。在本文中，我们提出了一种新的拓扑结构，利用FDSOI(完全耗尽的绝缘体上的硅)技术的一些优点，以减少模拟电池的尺寸。首先，选择当前的镜像来说明和验证新设计。测量电流，35纳米晶体管的长度，已经验证了我们新的交叉耦合的后门拓扑。然后，基于互补逆变器的VCRO(电压控制环形振荡器)也被用来去除减小电路尺寸的无源元件。
高电压穿越PMSG为基础的风力发电系统使用超级电容器的控制
关于基于PMSG-风力涡轮机发电系统，本文提出了一种并联连接背面到后端转换器的DC链路，以提高通过它的性能高电压穿越的超级电容器能量存储单元（SCESU）。的操作和控制用于电网侧变流器和SCESU的分析中进行。基于实时数字仿真器（RTDS），模型和硬件在环仿真与SCESU基于PMSG风力涡轮机（HIL）平台开发，仿真结果表明，SCESU吸收不平衡能量，电网侧转换器，吸音减震期间电压涌浪的周期感性无功功率和验证通过控制策略的高电压穿越的正确性和可行性。
