金属绝缘体半导体场效应晶体管
出版日期
2013年2月01
状态
发表
提交截止日期
2012年9月14日
导致编辑器
1义守大学电子工程系,840年高雄,台湾
2国立交通大学电子工程系,300年新竹,台湾
3电子工程、微电子研究所、国立成功大学,台南,701年台湾
4国立中央大学电机工程系,320年桃园,台湾
5物理电子学、东京理工学院152 - 8552年,日本东京
金属绝缘体半导体场效应晶体管
描述
在过去的几十年里,已经有了巨大的进步在金属绝缘体半导体场效应晶体管(MISFETs)和他们的应用程序。在各种材料中,通用电气,III-V III-N半导体MISFETs制造已经引起了相当大的关注。这些设备中使用大量的不同功率放大器等电路,低噪声放大器、混频器、变频器和相移。high-k材料现在也扮演着重要的角色在未来high-mobility-channel设备改善所需的性能。
我们邀请作者贡献原始研究以及评论文章在各种MISFETs最新进展及其应用。潜在的主题包括,但不限于:
- High-k电介质在通用电气、III-V III-N MISFETs
- 新方法或概念的通用电气,III-V III-N MISFETs
- 表征high-k电介质/ high-mobility-channel材料接口(包括物理、化学、电子属性)
- 电子或光电应用程序通用电气、III-V III-N MISFETs
- 状态相关的材料/过程开发(例如,3 d MISFETs III-V增长,或其他)
- 模拟或MISFETs建模
之前提交的作者应该仔细阅读《华尔街日报》的作者指南,位于//www.newsama.com/journals/apec/guidelines/。未来的作者应该提交一份电子版的完整手稿通过跟踪系统在《华尔街日报》手稿http://mts.hindawi.com/根据以下时间表:
