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主动和被动电子元件
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2017年
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图13.
研究文章
功率器件热容错控制高功率三级防爆变频器基于全息等效双模调制
图13.
基于全息等效双模式的IGBT表面和基板温度升高。(a)基于简化的SVPWM的IGBT的表面温度升高;(b)基于准方波调制的IGBT的表面温度升高;(c)基于简化的SVPWM的IGBT衬底温度升高;(d)基于准方波调制的IGBT衬底温度升高。
(一种)
(b)
(C)
(d)
年度奖项:由我们的首席编辑所选的2020年突出的研究捐款。
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