主动和被动电子元件/2017年/文章/图13.

研究文章

功率器件热容错控制高功率三级防爆变频器基于全息等效双模调制

图13.

基于全息等效双模式的IGBT表面和基板温度升高。(a)基于简化的SVPWM的IGBT的表面温度升高;(b)基于准方波调制的IGBT的表面温度升高;(c)基于简化的SVPWM的IGBT衬底温度升高;(d)基于准方波调制的IGBT衬底温度升高。
(一种)
(b)
(C)
(d)

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