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研究文章

使用和限制标准的移动模型的TCAD仿真纳米FD-SOI mosfet

表2

参数(s)值(s)各自标准的电子迁移率模型。改变值(s)对应于一个非物质的行为模拟传输特性(即。零跨导)。


电子迁移率模型	β(= 1)	英特尔1		英特尔2		Lombardi (cgs单位)

参数(年代)	前因子	(MV /米)		(MV /米)		(10⁷)	(10⁵)		(10¹⁴)

默认值(s)	1	4.2	0.5	57.1	1.02	4.75	1.74	0.125	5.82

改变值(年代)	0.042	4.5	1	4.0	1	4.75	1.74	0.125	0.01

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