研究文章
Thermal-Aware测试进度和TAM共同改进三维集成电路
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| 死 |
电路 |
技术
(nm) |
死的权力(W) |
不。的核心 |
不。扫描链 |
不。测试模式 |
TAM宽度
(hard-die模式) |
测试时间(没有。测试周期) |
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| 死4 |
逻辑 |
180年 |
36.0 |
9 |
15 |
130年 |
17 |
76440年 |
| 死3 |
逻辑 |
180年 |
36.0 |
9 |
15 |
130年 |
17 |
76440年 |
| 死2 |
ARM9 |
180年 |
6.0 |
2 |
20. |
300年 |
22 |
210000年 |
| 死1 |
静态存储器 |
90年 |
0.65 |
25 |
N /一个 |
N /一个 |
2 |
425984年 |
| 死0 |
动态随机存取记忆体 |
32 |
0.3 |
1 |
N /一个 |
N /一个 |
2 |
500000年 |
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