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研究文章

SOI MOSFET中选择性背氧化结构的扭结抑制分析

图1

(a) SOI MOSFET结构和(b)输出特性中的扭结效应。

565827. fig.001a

(一)

565827. fig.001b

(b)

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章。