凝聚态物理的进步
研究文章

高温致发光InGaN /氮化镓发光装置与多个量子壁垒

图2

EL光谱InGaN /氮化镓发光从200年到380 K温度范围内的样本(a)与氮化镓与MQBs壁垒和(b)的样本。驱动电流10马。
145689. fig.002a
(一)
145689. fig.002b
(b)