记忆电路元素:复杂性、复杂的系统和应用程序
出版日期
2018年11月01
状态
发表
提交截止日期
2018年6月29日
导致编辑器
1Phenikaa研究和技术研究所(PRATI),河内,越南
2韦尔科技大学,印度钦奈
3西班牙de Astrofisica视y电子乐(INAOE),乔鲁拉,墨西哥
4罗兹大学技术,罗兹,波兰
记忆电路元素:复杂性、复杂的系统和应用程序
描述
Mem-systems根据记忆电路元素(记忆电阻、记忆电容和meminductor),收到了显著的注意后,实现固态记忆电阻的惠普实验室在2008年。各种mem-systems已报告在不同领域,从物理、生物模型工程。特别是mem-systems发现潜在的应用在开关设备,bioinspired电子、神经网络、内存元素,等等。
在过去的几年中,我们见证了迅速发展调查mem-systems如理论模型、复杂、混乱,基本的指纹,数值模拟,非线性特性,制造方面,实验。然而,仍然有不同的问题,邀请更多的发现在这样的系统。
特殊问题旨在展示和讨论高级主题的mem-systems复杂的动态行为。我们邀请研究人员贡献的研究工作,与这个特殊问题的主题。
潜在的主题包括但不限于以下:
- mem-systems的复杂性
- 非线性动力学、混乱和复杂的网络
- mem-systems的混沌控制和同步
- 忆阻器理论、建模和仿真工具
- 模拟和数字memristor-based电路、系统和架构
- 神经系统和内存计算
- mem-systems实现和实际应用