头盘界面的摩擦学
出版日期
2013年4月19日
状态
发表
提交截止日期
2013年1月3日
导致编辑器
1日立GST圣何塞研究中心,加州圣何塞95135,美国
2关西大学机械工程系,日本大阪田田市大和町3-3-35,564-8680
3.数据存储研究所,5工程驱动1号,新加坡117608
4国立台湾大学机械工程系,台北市713工程大楼
头盘界面的摩擦学
描述
随着商业硬盘驱动器的面积密度正迅速接近每平方英寸太比特的里程碑,进一步减小磁头-介质间距(HMS)的需求变得越来越重要,因为它是良好的可写性和强回读信号完整性的必要实现。据估计,HMS将很快需要通过6-7纳米标记,以达到这个密度点。值得注意的是,每降低0.3纳米的HMS,被读回的存储数字信号的误码率就会提高约2倍。除了对新型超薄的大衣和润滑剂保护膜以及磁盘和磁头之间的亚纳米气隙的不断需求,目前正在考虑的替代记录技术包括将磁盘加热到500°C以上(热辅助磁记录或HAMR)和/或物理隔离物理尺寸小于30纳米的小岛屿上的磁位(位模式记录或BPR)。
我们邀请研究人员投稿原创研究文章和综述文章,以促进对超低HMS物理极限的持续努力,新型润滑剂和涂层膜的开发,以及亚纳米头盘间隙的精细控制。我们对HAMR或BPR条件下头-盘界面摩擦学和化学的基本见解的文章特别感兴趣。
潜在的主题包括但不限于:
- 热瞬态下薄润滑剂和大衣膜的最新进展及其物理和化学性质的表征
- 润滑剂和大衣模型,在连续体近似,以及分子动力学
- 用于磁间距控制、滑块触地检测和磁盘间隙控制的纳米驱动技术
- 在HAMR条件下,气浮模型、磁头和介质的热力学效应及实验验证
- BPR接口:空气轴承建模、实验和平面化技术
- 磁盘驱动器环境(湿度、温度、颗粒和有机污染物)在头盘接口可靠性中的作用
- 磁头和磁盘腐蚀机理和控制
在投稿之前,作者应该仔细阅读期刊的作者指南,它位于//www.newsama.com/journals/at/guidelines/。未来的作者应该通过期刊手稿跟踪系统提交他们的完整手稿的电子副本http://mts.hindawi.com/根据以下时间表: