基于SI，GaAs和基于INP的半导体器件在上世纪以来显着改善了我们的生活。为进一步改善本世纪的生活标准，需要研究新的半导体材料和高性能半导体器件的发展。宽带隙半导体，如ZnO，SiC，GaN，GA₂O._3.和钻石被认为是下一代半导体，因为它们具有优异的物理和化学性质。它们是制造光电器件和半导体电子产品的承诺候选者，例如光发射器，太阳能电池，太阳盲检测器，高温和高功率电子，气体传感器，高功率微波晶体管和微机电系统（MEMS）。

为了制造高性能半导体电子和光电器件，开发了几种研究领域，如高品质的散装或外延层生长，n型和p型掺杂，表面晶体质量改进，界面质量的金属/半导体或绝缘子/半导体结，设备制造过程的优化，以及半导体器件的新应用开发。在近几年内，已经开发了半导体生长和设备技术的显着进展。实现他们的研究情况将是有价值和有意义的。

本特殊问题的目的是发布高质量的研究论文以及近期研究的审查文章，用于半导体，表面和界面物理，电子和光电器件及其应用。鼓励作者贡献原始研究论文，并审查反映了关于半导体目前进展的文章。

潜在主题包括但不限于：

• 半导体的生长，如Si，GaAs，Inp，ZnO，SiC，GaN，Ga₂O._3.和钻石
• 表面和界面物理
• 掺杂剂，缺陷和表面形态
• 金属/半导体，半导体/半导体和绝缘子/半导体接口
• 材料表征和设备制造过程开发
• 基于半导体的光电和电子设备
• 半导体的新应用
• 半导体器件的高级测量系统
• 微机电系统（MEMS）
• 关于半导体器件的当前进度
• 半导体的生物传感器和能量应用