半导体：材料，物理和设备

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基于SI，GaAs和基于INP的半导体器件在上个世纪中显着改善了我们的生活。宽带隙半导体，如ZnO，SiC，GaN，GA₂O._3.和钻石被认为是下一代半导体，因为它们具有优异的物理和化学性质。这些半导体是对光电器件和半导体电子制造的承诺候选者，例如光发射器，太阳能电池，太阳盲检测器，高功率电子，气体传感器，大功率微波晶体管和微机电系统（MEMS）。为了制造高性能半导体电子和光电器件，正在开发几种研究领域，例如高质量的散装或外延层生长，N-type和P.- 型掺杂，表面晶体质量改进，金属/半导体或绝缘体/半导体结的界面质量，设备制造过程的优化，以及半导体器件的新应用开发。在近几年内，已经开发了半导体生长和设备技术的显着进展。实现他们的研究情况将是有价值和有意义的。

在这个特别问题中，A. Maerz等人。在短路事件的情况下，在各种驱动和边界条件下，在各种驱动和边界条件下提供了对垂直SiC金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的热行为的一般描述。SIC MOSFET的精确预测SIC MOSFET为单个故障事件的时间大大影响了电源转换器应用中这些器件的设备保护电路的要求，如电压源 - 逆变器或电力 - 电子变压器。因此，提出了一种基于结构设计的热模型，提出了芯片的物理尺寸和4H-SiC的材料特性。R. Banchuin分析了亚阈值浮栅MOSFET（FGMOSFET）的随机变化。已经提出了在根据其漏极电流定义的亚阈值区域中操作的FGMOSFET性能的随机变化的分析。C.-i.Lee等人。第一次调查硅锗（SiGe）异质结双极晶体管（HBT）的硅锗（SiGe）异质结晶体管（HBT）的噪声参数。对于不同尺寸的SiGe HBT，实现了在击穿的实验和模拟噪声性能之间的良好一致性。 The presented analysis can benefit the RF circuits operating in the breakdown region. H. Lim et al. gave a review about the modeling of magnetic tunnel junction (MTJ). Modeling methods and models of MTJ characteristics are classified into two groups, macromodels and behavioral models, and the most important characteristics of MTJs. A. Hariya et al. demonstrated considerations of physical design and implementation for wide regulation range MHz-level LLC resonant DC-DC converters with gallium nitride high electron mobility transistors. The physical parameters and size of the planar transformer are optimized by using derived equations and finite element method with Maxwell 3D.

我们希望这一特别问题可以为读者提供最近基于半导体的材料，物理和设备领域的最新成就的概述。我们还希望这一特殊问题可以为半导体研究人员提供有价值的参考。

致谢

我们要感谢所有贡献的作者为提交此特殊问题。我们也非常感谢审稿人的帮助，以获得特殊问题的审查过程。

江威刘
洪阳赵
金龙刘
AurélienMaréchal.
魏王

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