文摘
多孔硅(PSi)作为一种有效的材料在生物医学、传感器、太阳能电池、电化学能源、微电子学、纳米技术。考虑到PSi功能属性的依赖孔隙几何形状和多孔层的架构,它是控制孔隙形成的重要开发方法。毕竟,在“队伍”的方法获得PSi⟶PSi的孔隙几何形状和建筑⟶PSi的功能属性,决定性的作用属于第一个参与者。中最常用的方法,电化学腐蚀是最适合的成核和生长过程的可控性毛孔因为它可以控制使用电流密度的值,结果很容易复制。这部文学作品分析了在两种类型的电化学PSi的阳极腐蚀的形成(1)硅表面,(2)硅表面,用金属纳米结构修改。现代的解释过程中硅表面形成多孔的阳极溶解的解决方案包含高频。的影响等主要因素对阳极PSi的形成过程及其形态分析:电解液的组成和各组成部分的作用;阳极电流密度和供应的方法(静止不动的,脉冲);持续时间;接触照明;和温度。相当关注的插图醇的作用和有机非质子溶剂在孔隙几何形状的形成。 The influence of MNPs and metallic nanostructures on the process of localized metal-activated anodic etching of a semiconductor is analyzed.
1。介绍
多孔半导体材料吸引了特别关注在过去十年在科学和应用方面由于其独特的物理、化学、光学和生物属性(1- - - - - -14]。研究最多的是多孔硅,它是有效的在这样的应用程序(图的主要领域1):生物医学(6,15],sensorics [2,6,15,16),太阳能电池(2,4,8,15),纳米技术(2)、电化学能量和微电子学(15]。
生物医学的首选是多孔硅由于其巨大的表面积(200 - 800 m2·g−1),能够装载药物或生物活性物种,生物相容性和生物可降解,容易消毒。因此,多孔硅是一种有效的底物在药物输送、组织工程、生物分子筛选,若等。1,2,5,6]。基于PSi-porous硅膜的材料是有前途的13- - - - - -15]。生物相容性、大的表面积,和开放式几何PSiMs允许用于生物医学应用等主要领域:小型门店血液透析清除毒素的能力高,植入细胞培养支架,支架的文化口腔粘膜上皮细胞、组织支架结合cell-laden水凝胶生物材料,和肠上皮细胞的文化。
一个传感器是基于大表面积的PSi (2),孔隙纳米级(16,合作的3 d半导体衬底上沉积金属纳米结构(10,17- - - - - -21]。在后者,ser信号的增益是几个数量级高于光滑硅晶圆。这提供了高灵敏度检测氨基酸、抗生素、和淀粉样蛋白,特别是生物传感器的承诺。
PSi的表面纹理作为光陷阱,提高光吸收在长波长范围。这允许提高太阳能电池的效率和降低成本的材料在光伏设备的生产2,4,8,15,22]。低导热系数ψ是用于制造热设备,特别是microheaters。应用于微电子学包括光电设备,如波长调节器和发光电容器(15]。
承诺在电化学电力工程多孔硅和硅纳米线通过电化学腐蚀(15,23- - - - - -25]。因此,作者的23,24]显示效率的PSi燃料电池的电极,SiNWs作为锂离子电池阳极(25]。
近年来的作品显示的相关性对光电阴极多孔硅光电化学制氢(26- - - - - -30.和储氢29日,31日]。此外,PSi和3 d (PSi / PtNPs[使用硅纳米复合材料28),PSi / (PtNPs PdNPs) [30.])。
现代方法能够获得超小直径的多孔硅(10 nm或更少)和各种建筑以其高表面积和可调孔。由于硅是一种半导体,PSi近年来被认为是作为一个新模板的生产纳米材料和纳米复合材料32,33]。
物理、物理化学、化学和电化学的方法获得纳米多孔硅(图2)。最常见的方法获得多孔硅蚀刻染色(34),电化学腐蚀(2- - - - - -4,10,13- - - - - -15],metal-assisted电化学腐蚀[35- - - - - -37],metal-assisted化学腐蚀(4,8- - - - - -10]。
在“队伍”的方法获得PSi⟶PSi的孔隙几何形状和建筑⟶PSi的功能属性,决定性的作用属于第一个参与者。因此,该方法的选择主要基于孔隙形成过程的可控性。电化学腐蚀和metal-assisted电化学腐蚀最满足的要求获得多孔硅与给定几何和PSi架构(2,13,22,37]。毕竟,气孔的形成因素中,主要是控制阳极电流密度的值。
孔隙形成硅表面通过电化学腐蚀和metal-assisted电化学腐蚀发生在fluoride-containing解决方案,这是由于半导体的性质。孔隙表面形成硅电化学腐蚀和metal-assisted fluoride-containing进行的解决方案(2- - - - - -4,13- - - - - -15,35- - - - - -37]。这是由于半导体的化学性质,主要对氧高亲和力和重大的负面价值的标准电极电位(=−0.91 V)。因此,密集的水不溶性氧化膜形成硅表面在水溶液pH值≤7和氧化膜溶解在碱性溶液(1)和高频的解决方案(2)。硅也表现出很高的化学活性等解决方案(3,4)。所以,电化学蚀刻硅可以执行的两种类型的解决方案。然而,在碱性介质,除了阳极反应(3),副反应(5)是积极的。因此,在当地解散和最小化的可控性方面在阳极侧通道的过程形成的多孔表面,最可接受的是fluoride-containing解决方案。
有氯化试图获取多孔硅在非水介质,特别是系统的有机溶剂LiCl-MeOH和氯化锂−DMF的解决方案(38,39]。然而,阳极处理发生在电流的值是一个或两个数量级低于fluoride-containing解决方案。然而,阳极处理发生在电流的值是一个或两个订单低于fluoride-containing解决方案。此外,毛孔在硅表面形成不均匀。这是因为电离在阳极硅水解即使在水的存在痕迹在解决方案(6),基于SiO钝化氧化膜的表面2。所以,不用于获得多孔硅氯系统。
孔隙形成的过程,在当地的阳极腐蚀硅F−包含多级复杂的解决方案。它吸引了许多研究者的关注在过去二十年40- - - - - -55]。此外,硅表面的电化学腐蚀40- - - - - -49)和Si /基于表面,改性用金属纳米结构(8,50- - - - - -55),显示一些差异。因此,他们最好是单独考虑(1)电化学腐蚀方法和(2)metal-assisted电化学腐蚀方法。
针对日益增长的兴趣在PSi获得的电化学方法,评价的目的是一个关键的分析工作在这一领域的发展前景和建议电化学的多孔硅和中间产品(SiNWs SiNPs)。
2。形成多孔硅的电化学蚀刻在高频的解决方案
局部腐蚀的硅高频+氧化剂(H)的解决方案2O2, , ,菲3 +)[34电化学腐蚀的机理是相同的。由于表面的不均匀性,发生的电极电位值。异构性主要是由于掺杂物的存在(D= B, P,某人)。因此,阳极和阴极区域出现在硅表面蚀刻溶液。在这种情况下,硅成为microanode和硅化合物与掺杂物(Si的碎片xDy)成为microcathode(图3)。
Electron-generating过程发生在阳极的区域,可以写的总半反应(4)。它会导致当地解散硅与孔隙的形成。氧化还原反应在阴极发生地区,例如,来 , 给签证官2 +、铁3 +对菲2 +H2O2到H2O (7)和氢形成(8)。
电极电位值(Δ略有区别Е)掺杂硅表面硅和硅之间xDy碎片在fluoride-containing解决方案没有提供一个大的电动势,因此,高速率的半导体衬底的化学腐蚀过程。所以,这种方法会产生只有薄薄的一层(几微米)的多孔硅和low-aspect孔深度和宽度之间的比率。所以,只有薄薄的一层多孔硅(几微米)可以通过这种方法和low-aspect比率之间的孔隙多孔硅的深度和宽度。此外,化学腐蚀是自发的,不符合现代要求的可控制性孔隙几何形状和多孔层的体系结构。电化学腐蚀方法允许形成PSi厚层(> 60岁μ米)高纵横比的> 100(表1和2)。这些优势的ECE将以下。从衬底的蚀刻硅原子发生在应用外部电压,导致潜在价值的转变更积极的价值观。因此,硅表面的正电荷密度增加。这将导致增加F的浓度−离子在阳极层。因此,电化学的速度(9)和化学(10)反应,因此,整个阳极腐蚀过程的硅(4)增加。
由于掺杂硅的各向异性,有局部腐蚀孔的形成。然而,在增加我阳极值,在硅表面正电荷的密度到达І至关重要ЕР值(图4),的各向异性是夷为平地。也就是说,表面不均匀性的差异是夷为平地Si之间的电极电位值xDy碎片和纯硅碎片。这将导致整个表面均匀腐蚀,即。,其阳极抛光(2,44,62年]。
众所周知,毛孔的体系结构和层次结构的表面,作为多孔材料的特性因素,确定其主要特征(85年]。几何控制气孔的形成是硅的电化学腐蚀的一个优先考虑的问题。这种方法是一种多因子的过程,其中研究最多的主要参数对多孔结构的设计(1)的阳极电流密度值;(2)组成的解决方案;(3)阳极氧化时间。重要参数的类型还包括硅表面(n - p),这是由掺杂物的性质以及掺杂剂量。如前所述(图3),后者导致电化学掺杂硅表面的不均匀性,影响毛孔的初步形成。然而,这个问题研究不够,和个人作品(13,86年,87年)不允许孔隙的规律做出归纳成核。
2.1。阳极电流密度对多孔硅的形成
电流密度的主要因素是控制影响多孔硅结构的形成。然而,毛孔明显的成核和增长依赖于类型的硅,高频内容在水溶液中,醇的存在及其比例(表1),有机非质子溶剂中(表2)。所以,我阳极被认为是与其他阳极极化参数值。
进行电化学腐蚀主要由固定电解(56- - - - - -58,60,61年,63年- - - - - -68年,71年- - - - - -83年]。然而,也一直在注意非稳定的阳极极化模式在最近一段时间(59,62年,69年,70年]。但是,不管水或aqueous-alcoholic解决方案提供电流的方法和媒介的有机非质子溶剂,阳极电流的主要因素影响电化学反应速率的SiF的形成4(9)。后者形式(SiF6]2 -复杂阴离子在高浓度的氟化物离子,根据反应(10)。的主要参数影响硅的电化学腐蚀速度阳极在条件交付F−离子提供所需的浓度(SiF的阳极层和删除6]2 -复合物。所以,与阳极电流密度的价值,有一种倾向,将增加孔隙直径,深度,孔隙度、和PSi架构的变化62年,63年,67年,70年,71年]。因此,在[63年),结果表明:数组的大孔隙和中孔形成我阳极< mА·60厘米−2直径,孔深度,孔隙度265 - 760 nm, 58 - 63μm,分别和44 - 61%。在我阳极> 60 mА·厘米−2数组,大孔隙形成直径900 - 1250 nm,深度63 - 69μ米,61 - 80%的孔隙度。类似的效果的阳极电流ψ是观察到的主要特点67年,70年]。然而,这种规律只在一个特定范围的观察我阳极在其他同等条件值。达到这个值的关键数字后,多孔层的深度可能会降低(图5)。这主要是由于扩散控制的反应(9)和(10)。所以,对于F-ions“赤字”阳极层,反应的硅表面钝化
阳极氧化电解的脉冲模式可以加速扩散过程在暂停期间,防止硅表面的钝化。这是所示(62年],多孔层的形成率高出两倍的脉冲电流比静止在同样的另一个阳极氧化条件。
根据孔隙几何形状和多孔层厚度我阳极可以设计,PSi架构。因此,作者的70年]显示形成不同类型的多层结构破裂的可能性与不同形态(宏观,中间,和微孔隙)和传播从30到82%通过改变阳极电流密度。
阳极密度的因素是不一样的与不同的硅晶体晶胞。因此,F离子Si表面原子的空间因素比较明显Si(111)比Si(001)晶体取向(图6)。所以,相同的孔隙几何形状是不同的我阳极值(在Si(111)和直支Si (001))。Si(001),还有一个更高的电化学腐蚀速率(71年]。
文献分析可以看出,阳极电流密度,作为外在参数孔隙的形成、行为与内在参数,同时包括,首先,掺杂的性质类型、掺杂剂,硅晶体取向。然而,半导体晶体取向对孔隙形貌和尺寸的影响实际上是限制了工作(71年]。
2.2。解决方案组合在阳极氧化过程的影响
水解决方案的主要组件PSi通过电化学腐蚀氟石的酸和醇类(表1)。在非水溶剂中,在有机非质子溶剂(表2),一个导电应用程序(TBAP)包含(除了高频)。这些组件执行一个特定的函数,所以其内容影响阳极氧化过程,因此,PSi的形成。
2.2.1。醇的影响
氟石的酸的主要试剂电化学反应(9),化学反应(SiF的形成6]2 -复杂(10),SiO解体2在硅表面(2)。因此,高频浓度应该确保这些过程的通过在适当的价值我阳极。然而,氟石的酸也参与进程(与硅反应,导致氢的形成(12)。在增长,气泡自发产生扩散限制时,吸附在外侧,通常粗糙毛孔表面。因此,它更难以控制PSi的形成。醇类添加到阳极氧化溶液,这限制了这个不良的过程(表1)。酒精分子吸附在硅表面,导致溶液的表面张力下降。这减少了氢气气泡的大小和促进他们从毛孔清除。因此,扩散过程,特别是高频的渗透加剧。另外,醇的吸附减弱的化学蚀刻硅,促进形成一个相对光滑的表面毛孔(图7)。
醇的性质的影响硅的电化学腐蚀过程)。在不同的作品(57,58,65年),比较特色的依赖孔深度和他们的形成率的单原子醇的碳链长度的分子。因此,它是所示57),在一系列MeOH-EtOH-PrOH-BuOH,有一种倾向,将多孔层的厚度略有增加,而在(58),是专注于孔深度显著上升。
2.2.2。有机非质子溶剂的环境的影响
有机非质子溶剂的影响研究的电化学蚀刻硅二十多年前开始使用乙腈的例子中(72年]。随后,研究了多孔硅的电化学形成fluoride-containing解决方案基于一个(73年,78年,79年,81年],DMF [73年,74年,78年- - - - - -80年,82年- - - - - -84年],DMSO [73年,75年- - - - - -77年,79年,80年),和电脑78年,79年]。有机非质子溶剂的一个重要影响的过程控制阳极氧化硅的获取指定孔隙几何图形和PSi形态的可能性。然而,解决方案的使用不同的成分和浓度和电化学腐蚀的不同模式和不同类型的半导体表面不允许系统分析的影响等有机溶剂形成的多孔硅结构(表2)。因此,我们关注他们的行动的特点相比,水和醇。分子有机非质子溶剂的特点是高捐赠数量的N -(一个)或O-donor原子(DMF, DMSO, PC)。一双设计和部分负电荷促进形成氢键的氢原子HF分子,例如,H3C≡N⋅⋅⋅氢氟键(H3C)2S = O⋅⋅⋅氢氟键。这增强了弱氟石的酸的电离平衡转移过程(13向右),F的流动性增加−离子及其扩散渗透性。此外,分子氢离子的特定绑定的质子溶剂削弱了其化学活性硅。这可以防止腐蚀和减少氢的形成反应(12)。此外,分子氢离子的特定绑定的质子溶剂削弱其化学活性硅,从而防止硅蚀刻和减少氢的形成反应(12)。硅的化学腐蚀,作为一个过程,也可防止表面复合物的形成,例如:H3C≡N:⟶Si;(H3C)2S = O:⟶Si。他们功能表面活性剂,削弱化学过程:
上述原因以下特性的影响有机非质子溶剂的电化学蚀刻硅:定向垂直形成光滑圆柱表面孔隙为主;比例上的孔深度的依赖我阳极价值;获得一个厚的多孔层和一个大的比例孔深度/直径;和阳极氧化的可能性高速度。垂直和光滑的形成气孔观察不管有机非质子溶剂的性质:一个(73年,78年],DMF [73年,74年,78年,80年,82年,83年],DMSO [73年,75年- - - - - -77年,80年),和电脑78年]。这种孔隙几何形状是观察到的趋势初阶段的成核和增长(数字8(一)-8(e))和长途阳极处理(74年,75年,77年,78年]。工作(73年]表明,毛孔几乎相同的深度和发展相互平行。
经过成核的毛孔,时间几乎是线性的增长(图8(f))。接近线性的依赖电化学腐蚀速率(图9),这是相同的增长率多孔层上我阳极价值。
(一)
(b)
工作(80年)显示了高技术前景的二甲基甲酰胺和二甲亚砜的解决方案获得通过阳极氧化PSi。因此,在高频−DMF和高频−DMSO,电化学腐蚀的速率达到30μm·敏−1的形成相对均匀的多孔层180μm。此外,的比例孔深度/直径控制和社会地位高的人至110人。
2.3。阳极氧化时间和精力强化因素的影响的多孔硅的形成
阳极氧化时间是参数ψ形成控制。然而,这个值应该考虑与其他重要的因素,主要是电解液的组成和阳极电流密度。毛孔几何、多孔层的形态,在毛孔成分的浓度是不稳定的。这导致的变化我阳极,因为我阳极在初始值设置区域的硅表面。后者增加在阳极氧化,因此真正的地方我阳极值不符合设置电流密度。此外,对多孔表面的分布是不同的。氟离子的浓度也会由于扩散限制不同电场的不均匀性因素造成的毛孔。因此,硅的电化学腐蚀的动力学变化。因此,建议考虑依赖的趋势方面的腐蚀速率和增加直径和孔深度在阳极氧化时间。
硅的电化学腐蚀速率的变化和孔隙几何形状随时间尚未系统研究,可以用阳极氧化过程的多因子的性质来解释。在某些工作(44,61年,62年,71年,80年,82年),这种依赖是断断续续的视为PSi形成的特点之一。因此,(44,62年,80年,82年]显示比例增加孔深度很长一段时间。此外,孔深度的增加极大地取决于我阳极值(图8(f))。
精力充沛的硅的电化学腐蚀过程影响因素包括温度、光、机械应力。硅阳极氧化进行主要在室温下(表1和2)。更高的温度不习惯因为酒精的吸附分子和有机非质子溶剂是削弱,导致边过程的强化,包括蚀刻与氢气的释放。所示(62年,84年),低温是有效的厚多孔层的形成与一个小孔径。因此,PSi获得在0°C有孔深度的一倍半,几乎相同的孔直径与室温相比(62年]。
在[40),短波长光的影响被认为是通过反应,特别是在选择性和各向异性腐蚀,导致纳米硅表面的微观结构。照明的硅片表面常被用来设计和加强阳极氧化过程在成核阶段和生长的多孔层(19,63年,66年,82年]。机械作用,从而导致硅表面缺陷的定位抓(43)或机械应力(68年),促进定向电化学腐蚀。
3所示。多孔硅的形成Metal-Assisted电化学腐蚀
毛孔成核的条件之一,其随后的定向生长在化学或电化学蚀刻硅表面的电化学不均匀性。如前所述,这种非均匀性是由合金成分,这在fluoride-containing解决方案导致阳极和阴极区域的形成。然而,ΔЕ它们之间的价值很小,不提供硅的适当的化学腐蚀率。因此,电化学腐蚀速度时更有效的PSi获取对应的技术标准。然而,ECE方法对合金成分的性质非常敏感,他们的内容,晶格的方向。因此,孔隙的几何形状和获得的多孔层的架构取决于这些因素。因此,在过去的十年中,metal-assisted电化学蚀刻硅的方法(表已经吸引了相当大的关注3)。
MAECE是广泛使用的修改metal-assisted硅的化学蚀刻法(4,8,9,50,53,91年- - - - - -93年]。后一种方法可以被视为接触电化学腐蚀与Si衬底/基于沉积金属纳米结构。最好是M -贵金属(金、Ag) Pd, Pt)的E0米n+/米0≥0.8 V。这导致Δ的高价值Е0(≥2 V)电对形成fluoride-containing金属颗粒和硅之间的解决方案。因此,提供高速率的权杖。此外,腐蚀是局部的,形状和大小的孔隙几何形状再现了金属纳米结构(纳米颗粒和纳米多孔薄膜),它提供了各种在PSi的设计。Metal-assisted化学腐蚀是在类似的解决方案进行化学腐蚀,即。,高频+氧化剂(主要是Н2О2)。因此,一种类型的过程——(7、8)发生在阴极和阳极区域(9、10)。与此同时,这些过程的速度和腐蚀方向明显依赖于氟化物的浓度和氧化剂。
MAECE允许控制硅的溶解率通过改变阳极电流密度。因此,腐蚀方向和PSi获得给定的体系结构控制(4,36,37,50- - - - - -55,88年- - - - - -90年]。因此,高的值і阳极导致毛孔的形成表面垂直方向,和小值及方向(100)(50]。在这种情况下,硅腐蚀发生在Si /基于接口和基于以下示意图如图所示10(时留下的权杖,在MAECE)。
MAECE期间,梅斯相比,毛孔侧表面的腐蚀也会发生阳极溶解。因此,锥形孔形成(图11)。所以,比较ECE(数据11(一)和11(b)),梅斯(数字11(一)和11(b)), MAECE(数字11(e)和11(f)),作者(53)强调,后一种方法的主要区别在于合作的激活作用的金属和外部电场。这允许控制PSi与广泛的孔隙形成深度和孔径的大小。
MAЕCE的特性,除了高速率的过程,PSi的广泛设计可能是由于在硅表面沉积金属纳米颗粒的几何。Si /和基于系统的纳米金属沉淀是一种矩阵预定的架构层。所以,最主要的是存款和基于给定的几何在硅的表面上。控制沉积的纳米金属,电替代的方法(92年- - - - - -95年),电解96年- - - - - -98年),和溅射54,90年,91年,99年使用)。然而,这些方法还没有提供给定的几何和地形的形成和并不总是符合技术标准。是的,电替代技术简单。但是,Si表面发生电化学过程是自发的和多因子的,这使得它很难控制纳米金属的沉积。电沉积的特点是有效性和基于给定的几何形状的形成,但技术上有一些劣势,难以确保可靠的硅表面的电接触。溅射需要复杂和昂贵的设备,这不是今天在经济上和技术上合理的。
4所示。结论
多孔硅作为一种半导体材料有一个很大的表面积和各种架构的特点是广泛的功能性质,它允许将它广泛应用在生物医学、传感器、太阳能电池、电化学能源、微电子、纳米技术,等等。在“行列”:的方法获得PSi⟶PSi的孔隙几何形状和建筑⟶PSi的功能属性,决定性的作用属于第一个参与者。因此,控制方法获得PSi的优先方向之一,在过去十年的研究材料。电化学腐蚀符合这些标准,技术有前途的多孔硅的快速生产。
阳极腐蚀在高频的解决方案是基于局部PSi的形成,这是由于硅表面的电化学不均匀性。后者是由于掺杂硅的各向异性或金属纳米颗粒沉积在硅。此类品种的使用形成的多孔硅层的方法(1)金属电化学腐蚀和(2)激活电化学腐蚀主要是在文献中描述。
通过电化学腐蚀多孔硅的形成,这是基于电化学掺杂半导体表面的不均匀性,研究了在水溶液和有机溶剂的情况下。这是一个多因素的过程,无论媒介,控制孔隙几何形状的形成的主要影响因素和PSi架构如下:组成解决方案;阳极电流密度值和方法的供应(静止不动的,脉冲);照明,阳极氧化时间和温度。重要参数包括硅表面的类型,这是由于掺杂物的性质,掺杂剂,硅晶体取向。然而,表示这些问题在文献中是不够的。
多孔硅的形成metal-assisted电化学腐蚀是一个修改文献中描述的广泛使用和广泛metal-assisted硅的化学腐蚀方法。MAECE的一个重要特征是,PSi形成的控制是通过改变阳极电流密度:高我阳极价值观的形成导致毛孔表面垂直的方向,和小我阳极值及(100)方向。由于硅腐蚀发生在Si /基于接口和基于下,PSi的孔隙大小和结构依赖于纳米金属衬底表面的地形。Si /基于获得主要由电替代方法,它并没有提供一个完全控制的形成方面的和基于几何和分布在硅的表面。因此,今天这个问题是宽的限制因素之一MAECE的实际用法。
缩写
| 一个: | 乙腈 |
| DMF: | N, N-dimethylformamide |
| DMSO溶液: | 二甲亚砜 |
| 甲醇: | 甲醇 |
| EtOH: | 乙醇 |
| n-PrOH: | n丙醇 |
| n-BuOH: | n丁醇 |
| n-PeOH: | n戊醇 |
| 2-PrOH: | 异丙醇 |
| t-BuOH: | Tert-butanol |
| CTAC: | Hexadecyltrimethylammonium氯 |
| TBAP: | 高氯酸四丁铵 |
| E: | 电极电位 |
| 格: | 更换电 |
| 我阳极: | 阳极电流密度 |
| 梅斯: | Metal-assisted化学腐蚀 |
| MAECE: | Metal-activated电化学腐蚀 |
| ECE: | 电化学腐蚀 |
| 跨国公司: | 金属纳米束 |
| : | 金属纳米粒子 |
| 所在地: | 纳米线 |
| PSi: | 多孔硅 |
| PSiMs: | 多孔硅膜 |
| 爵士: | 表面增强拉曼散射 |
| SDS: | 十二烷基硫酸钠。 |
数据可用性
所有相关数据所引用的手稿。
的利益冲突
作者宣称没有利益冲突有关的出版。
确认
这项工作进行的部分财政支持乌克兰国家研究基金会项目登记号:2020.02/0309(“设计的多官能的纳米Mono -和双金属Electrocatalytic和抗菌性”)。