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| 类型的硅 |
Мetal协助 |
电解液成分 |
阳极处理参数 |
多孔硅的特点 |
参考文献。 |
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| p-Si (100) |
AgNPs |
心力衰竭:H2O2:EtOH = 25: 10: 33 |
1-40马·厘米230分钟20°C |
像海绵一样的PSi层电流密度低,马赛克层高电流密度 |
(36] |
| p-Si (100) |
AgNPs |
4.8高频 |
4和10马·厘米2 |
SiNWs |
(37] |
| p-Si (111), p-Si (110), n-Si (111) |
AgNPs |
3.6 wt %高频 |
0.2马·厘米2,90分钟;4马·厘米24分钟,20°C |
纳米多孔层。在4马·厘米∅< 100海里2阳极腐蚀垂直于表面,在马·0.2厘米2沿< 100 >方向 |
(50] |
| p-Si (100), p-Si (111) |
AgNPs CuNPs |
3.4 wt %高频 |
0.2马·厘米2马5厘米2,20°C |
纳米多孔层。∅< 100 nm纳米线∅< 100海里 |
(51] |
| p-Si (100) |
AgNPs |
心力衰竭:H2O2:EtOH = 15: 10: 33;高频- 40%,H2O2-30%,etoh - 99.7% |
1、5、10和15马·厘米230分钟20°C |
多孔镶嵌结构 |
(52] |
| p -同单晶硅 |
AgNPs |
心力衰竭:H2O2:H2O = 3: 10: 24 |
5.7马·厘米260分钟 |
大孔隙层 |
(53] |
| p-Si (100) |
AgNPs |
心力衰竭:DMSO: H2O。2: 5。2:5:10三世。2:5:15 |
25°C,即马36厘米2二世。25马·厘米2三世。22日马·厘米2 |
有序多孔硅和硅线阵列 |
(88年] |
| p-Si (100) |
AgNPs |
心力衰竭:H2O2:EtOH = 25: 10: 33;高频- 40%,H2O2- 30%,EtOH - 99.7%。 |
1马·厘米2马和30厘米2,20°C, 30分钟 |
马赛克多孔硅 |
(89年] |
| n-Si (100) |
AgNPs AuNPs PtNPs |
6.6高频和0.08 H2O2 |
20°C, 60年代光电化学蚀刻辐照度:17.3 mW·厘米−2 |
介孔层 |
(55] |
| n-Si (100) |
多孔薄膜的镍、锌、非盟 |
心力衰竭:EtOH = 1: 2 |
30 mA·厘米2,10分钟,卤素灯照明 |
柱状孔的直径几百名纳米的范围 |
(90年] |
| p-Si (100), n-Si (100) |
纳米多孔20 nm厚的非盟的电影 |
4 M高频 |
马8·厘米2,10分钟;12.5马·厘米2,10分钟;23日马·厘米2,5分钟;23日马·厘米2,5分钟;28马·厘米2,5分钟 |
硅纳米线,多孔硅纳米线,没有硅纳米线的多孔硅层和多孔硅纳米线厚多孔硅层 |
(54] |
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