TY -的A2ŢăluŞtefan盟——KuntyiОrest盟——Zozulya Galyna盟——Shepida马里亚纳PY - 2022 DA - 2022/05/27 TI -多孔硅形成电化学腐蚀SP - 1482877六世- 2022 AB -多孔硅(PSi)作为一种有效的材料在生物医学、传感器、太阳能电池、电化学能源、微电子学、纳米技术。考虑到PSi功能属性的依赖孔隙几何形状和多孔层的架构,它是控制孔隙形成的重要开发方法。毕竟,在“队伍” 的方法获得PSi⟶ PSi的孔隙几何形状和建筑⟶ PSi的功能属性,决定性的作用属于第一个参与者。中最常用的方法,电化学腐蚀是最适合的成核和生长过程的可控性毛孔因为它可以控制使用电流密度的值,结果很容易复制。这部文学作品分析了在两种类型的电化学PSi的阳极腐蚀的形成(1)硅表面,(2)硅表面,用金属纳米结构修改。现代的解释过程中硅表面形成多孔的阳极溶解的解决方案包含高频。的影响等主要因素对阳极PSi的形成过程及其形态分析:电解液的组成和各组成部分的作用;阳极电流密度和供应的方法(静止不动的,脉冲);持续时间;接触照明;和温度。相当关注的插图醇的作用和有机非质子溶剂在孔隙几何形状的形成。 The influence of MNPs and metallic nanostructures on the process of localized metal-activated anodic etching of a semiconductor is analyzed. SN - 1687-8434 UR - https://doi.org/10.1155/2022/1482877 DO - 10.1155/2022/1482877 JF - Advances in Materials Science and Engineering PB - Hindawi KW - ER -