计划和横截面扫描电镜蚀刻同单晶硅表面的图像通过单一的电化学腐蚀(ECE),单金属催化化学蚀刻(MCEE)、金属催化电化学腐蚀(MCECE)高频/ H₂O₂/小时₂O溶液的体积比3:10:24点,持续1小时。(a)和(b): ECE和恒电流条件下的电流密度(5.7 mA /厘米²)。(c)和(d): MCEE Ag)粒子催化剂。(e)和(f): MCECE恒电流条件(电流密度为5.7 mA /厘米²)和Ag)粒子催化剂(53)根据creative commons CC许可。