主动和被动电子元件/2013年/文章/图6.

研究文章

栅极凹陷纳米型SOI MOSFET中电气特性和串联电阻的频道厚度影响

图6.

4. 2 半径图和与具有通道厚度的四个NSB设备的通道厚度(骰子E15,C12,G15和C03)(分别为1.6,2.4,2.9和4.9 nm。从图中提取作为比率的恒定值(0.1V)到耗尽时测量的漏极电流。从()。
801634.fig.006.

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