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主动和被动电子元件
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2013年
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文章
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图6.
研究文章
栅极凹陷纳米型SOI MOSFET中电气特性和串联电阻的频道厚度影响
图6.
4.
2
半径图和与具有通道厚度的四个NSB设备的通道厚度(骰子E15,C12,G15和C03)(分别为1.6,2.4,2.9和4.9 nm。从图中提取作为比率的恒定值(0.1V)到耗尽时测量的漏极电流。从()。
年度奖项:由我们的首席编辑所选的2020年的优秀研究捐款。
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