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有源和无源电子元件
有源和无源电子元件/2013/文章/图4

研究文章

沟道厚度对栅槽式纳米SOI mosfet电特性和串联电阻影响的建模

图4

-特征以4个NSB器件(E15, G15, C12, C03)的V通道厚度()分别为1.6、2.4、2.9和4.9 nm。
801634. fig.004

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章．