研究文章

二氧化锰薄膜电化学电容器的电容行为原型

图5

−4 比较实验阻抗数据(o)和安装阻抗数据(□)基于等效电路模型;卡方值= 3.61×10。Insets的等效电路模型和高频区域的奈奎斯特图。
397685. fig.005