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国际期刊的电化学
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国际期刊的电化学
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2011年
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文章
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图5
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研究文章
二氧化锰薄膜电化学电容器的电容行为原型
图5
−4
比较实验阻抗数据(o)和安装阻抗数据(□)基于等效电路模型;卡方值= 3.61×10。Insets的等效电路模型和高频区域的奈奎斯特图。