研究文章

一个基于Meminductor混沌振荡器、记忆电容和记忆电阻

图10

勒维。(一)一个 60 (10),(b)b (55),(c)d (0.1 6)和(d)e (−0.1,6)。
(一)
(b)
(c)
(d)