复杂性
研究文章

一种新型压控Tri-Valued忆阻器混沌系统及其应用

图3

vi曲线的tri-valued记忆电阻在不同振幅:(a) = 0.2 V, (b) = 1.2 V, (c) = 3 V。
(一)
(b)
(c)