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研究论文

热载流子免疫的设计权衡和健壮性在LDMOS与栅极接地屏蔽

表2

从测试关键DC数据。


屏蔽结构	击穿电压（V）	V^日（V）	[R_DSON（欧姆*毫米）	一世_DSAT（A / mm）的

基准线	67.82	1.425	14.239	0.163
GSH1的长度-0.2 μ米	67.94	1.411	14.342	0.164
GSH1 +0.2的长度 μ米	67.81	1.421	14.276	0.163
GSH2的长度-0.2 μ米	68.01	1.412	14.238	0.167
GSH2 +0.2的长度 μ米	66.94	1.429	14.192	0.162
GSH1的氧化物厚度-0.02 μ米	68.13	1.43	14.343	0.159
GSH1的氧化物厚度0.02 μ米	68.33	1.408	14.117	0.169
GSH2的氧化物厚度-0.02 μ米	67.59	1.427	14.222	0.162
GSH2的氧化物厚度0.02 μ米	68.32	1.419	14.272	0.164

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