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研究文章

双阈值独立门FinFET和SRAM单元的综合优化

表1

与以前的作品比较。


	Ref。2］	Ref。3.］	Ref。4］	这项工作

l	32纳米	25海里	22纳米	14海里

Hfin	40海里	1嗯	1嗯	40海里

	纯的	1 e16天	10 e15	1 e12汽油

	2 e20	N/A	10 e20	1 e20

TSI	H ：6纳米 l ：12海里	H: 9海里李:N / A	H: 80海里李:80海里	H: 6海里李:6海里

测试结束	L: 1海里 H: 2海里	H: 1海里李:N / A	H: 2海里 L: 2海里	H: 0.75海里 L: 0.8海里

GWF	H: 4.8 L: 4.5	H: 4.85 李:N / A	H: 5.2 L: 4.5	H: 4.9 L: 4.55

门	聚	MGHK	MGHK	MGHK

Vdd	0.9 v	0.6 v	1 v	0.6 v

我_d10	H: 1.0 e-9a, L: 2.0 e-5a	H: 4.0 e-7a 李:N / A	H: 2.0 e-8a L: 1.0 a	H: 2.0 e-9a L: 7.7 e-6a

我_这里	H: 1.0 e-5a L: 4.0 e-5a	H: 1.0 e-4a 李:N/A	H: 1.0 e-4a L: 2.0 a	H: 2.4 e-6a L: 3.2 e-5a

	H: 5.0 e-12a L: 2.0 e-11a	H: 2.0 e-13a 李:N/A	H: 2.0 e-15a L: 2.0 e-9	H: 6.6 e-13a L: 1.6 e-8a

	H: 2.0 e + 6 L2.0e + 6	H: 5.0 e + 6 李:N/A	H: 5.0 e + 10 L: 1.0 e + 6	H: 3.6 e + 6 L: 2.0 e + 3

选择。工具	FUDG / TCAD	美第奇	美第奇	Sentaurus设备

H: high-Vth transitor;李:low-Vth晶体管。

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章。