有源和无源电子元件/2018/文章/图9

研究文章

双阈值独立门FinFET和SRAM单元的综合优化

图9

转载自H. Yang等人(2017)(在创作共用署名许可/公共领域下)。
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(b)

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章