双阈值综合优化独立门FinFET和SRAM单元

图2.

对称独立栅极高k金属栅极FinFET的横截面，TCAD模拟中的通道和高k电介质之间的界面氧化物（N _SD.= 1.0e20cm.^-3那N _身体= 1.0e12cm.^-3那L.= 14nm，HFIN.= 40nm）。

年度奖项：由我们的首席编辑所选的2020年突出的研究捐款。阅读获奖物品。