主动和被动电子元件
研究文章

基于结构的热模型描述垂直断层条件下碳化硅功率场效应管

图2

比较SC的行为50 1.7 kV /设备SiC MOSFET和IGBT @ = 1000 V; = 20 V; = 15 V; = 6.8Ω。 = 60 nH;和 = 25°C。