表1
基于缓冲延迟电路的MOSFET、FinFET和CNFET的比较。
|
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(mV) |
延迟平均值(s) × 10−10 |
延迟变异性(a.u.) (σ/μ） |
| 场效应晶体管 |
FinFET |
CNFET |
场效应晶体管 |
FinFET |
CNFET |
|
| 630 |
2.336 |
6.118 |
0.971 |
0.195 |
0.167 |
0.109 |
| 665 |
1.940 |
5.923 |
0.926 |
0.204 |
0.153 |
0.119 |
| 700 |
1.632 |
5.705 |
0.886 |
0.208 |
0.128 |
0.126 |
| 735 |
1.399 |
5.599 |
0.840 |
0.215 |
0.142 |
0.129 |
| 770 |
1.214 |
5.470 |
0.780 |
0.236 |
0.140 |
0.135 |
|
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