表2
基于参数用于4 h-sic MOSFET器件模拟。
|
| 如300年(eV) |
3.24 |
在300 K能带 |
| 如α(eV / K) |
4.15×10−4 |
能带模型的参数 |
| 如β(eV / K) |
−131 |
能带模型的参数 |
| 介电常数 |
9.66 |
介电常数 |
| 亲和力() |
4.2 |
亲和力 |
|
(cm6/秒) |
5×10−32 |
俄歇复合参数电子 |
|
(cm6/秒) |
2×10−32 |
俄歇复合参数洞 |
|
(eV) |
0.2 |
受主能级 |
|
(eV) |
0.1 |
施主能级 |
|
(eV) |
4 |
价带的简并度因素 |
|
(eV) |
2 |
导带的简并度因素 |
| LT.TAUN |
5 |
生命周期模型参数对电子 |
| LT.TAUP |
5 |
生命周期模型参数的漏洞 |
|
(cm−3) |
3×1017 |
SRH电子浓度一生 |
|
(cm−3) |
3×1017 |
SRH浓度一生的洞 |
|
(/ K2厘米2) |
110年 |
有效的电子理查森常数 |
|
(/ K2厘米2) |
30. |
有效的理查森常数洞 |
|
|
