门电介质的评价基于4 h-sic功率场效应管

漏极电流密度的函数使用SiO gate-source偏见对各种界面状态密度₂作为闸极介电层(a)和艾尔₂O₃作为闸极介电层(b)。阈值电压变化也显示各种门电介质界面状态密度(c)的函数。模拟已经执行了20 nm厚闸极介电层在300 K。