门电介质的评价基于4 h-sic功率场效应管

传导和价带能量图(a),电流电压特性在不同的温度下20 nm厚的SiO₂(b),电场semiconductor-dielectric接口的各种电介质(c)和门电流密度在不同gate-source偏见20 nm SiO₂栅极绝缘层(d)。