完全耗尽SOI mosfet中使用纳米级栅槽工艺的异常DIBL效应

图2

传输特性与GRC设备规格:= 2.2 nm和= 80μ米/ 3μ米,= 300 K。

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章．