完全耗尽SOI mosfet中使用纳米级栅槽工艺的异常DIBL效应

图1

给出了GRC器件的COMSOL 3D视图，显示通道厚度为2.2 nm。规模:比率是100:1。

年度文章奖:由主编评选的2020年杰出研究贡献。阅读获奖文章．