使用和限制标准的移动模型的TCAD仿真纳米FD-SOI mosfet

(半对数)实验和模拟数据。提出了讲的是基于所有可用的字段依赖流动模型在TCAD设备模拟器。违约和改变参数表2。是固定的0.1 V。