Y超薄膜FD SOI mosfet低温特性的函数分析

图1

1 对通道厚度分别为46 nm和4.6 nm的UTB (a)和GRC (b)器件的三维TCAD (Csuprem)过程模拟的交叉视图。编号层的功能和工艺参数见表．

(一)

(b)