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| 层数 |
层的名字 |
层缩略词 |
层厚度(nm) |
功能和属性 |
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| 01 |
大部分硅 |
散装 |
500000年 |
基质p型硼(1015厘米−3)
电阻率:14-22·厘米
< 100 >取向 |
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| 02 |
氧化埋 |
盒子 |
70年 |
大部分绝缘子
O+注入能量:120 keV(2.35小时)
剂量:0.39十18O+厘米−2
退火:1320°C(6.00小时) |
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| 03一 |
绝缘体上硅 |
SOI |
46 |
p型硼(1015厘米−3)普通晶体管频道UTB设备和nonreduced SOI GRC设备(源/漏扩展) |
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| 03 b |
门嵌入硅 |
GRS |
1.6 - -6.5范围内 |
减少晶体管频道GRC设备 |
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| 03 c |
氧化板 |
垫牛 |
15 |
从高温氮化硅缓解压力 |
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| 04 |
栅氧化层 |
气态氧 |
26 |
门绝缘子 |
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| 05年 |
多晶硅 |
聚 |
220年 |
栅电极 |
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| 06 |
氮化2 |
没用的人 |
30. |
防止进一步氧化硅薄层在植入物的热退火(GRC) |
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| 07年 |
场氧化 |
福克斯 |
700年 |
活动区域绝缘子 |
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| 08年 |
氧化硅 |
袜 |
350年 |
接触开放源/漏的面具和钝化 |
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| 09年 |
多晶硅 |
聚 |
220年 |
源/漏Polycontacts
获得的源/漏掺杂磷植入物:
剂量10 = 2.515厘米−2,
能源= 30 keV,
在HTA高温退火= 1000°C(30分钟) |
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| 10 |
铝 |
艾尔 |
500年 |
源/漏金属接触 |
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