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主动和被动电子元件
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主动和被动电子元件
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2013年
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图3
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研究文章
建模的通道厚度影响电特性和串联电阻Gate-Recessed纳米SOI mosfet
图3
Cross-view TCAD (Tsuprem4)模拟纳米设备使用gate-recessed通道的过程。层沉积序列在文本描述。