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主动和被动电子元件
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主动和被动电子元件
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2013年
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图11
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研究文章
建模的通道厚度影响电特性和串联电阻Gate-Recessed纳米SOI mosfet
图11
表示gate-to-channel电容作为的函数电压UTB和讲设备(在100 kHz和1 MHz)。