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研究文章

一种新型纳米级与Block-Oxide FDSOI MOSFET

图8

模拟(一)阈下的摇摆和(b)门的长度的依赖。bFDSOI-FETs显示改进的阈下的摇摆和更好的比FDSOI-FET滚边,类似于UTBSOI-FET。

627873. fig.008a

(一)

627873. fig.008b

(b)

文章奖:2020年杰出的研究贡献,选择由我们的首席编辑。获奖的文章阅读。