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研究文章

一种新型纳米级与Block-Oxide FDSOI MOSFET

图7

模拟在不同的晶体管低消耗的偏见((V)和高门偏见V)。如图,除了薄S / D bFDSOI和UTSOI设备,设备显示低因为厚的S / D区域。

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